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폴리벤지이미다졸계 고분자 막을 지지체로 하는 팔라듐 도금 분리막 및 그 제조 방법(Palladium deposited separation membrane having PBI based membrane support and method for preparing the same)

  • 기술번호 : KST2016006830
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 폴리벤지이미다졸계 고분자 분리막을 지지체로 하고, 해당 지지체에 팔라듐이 무전해 도금된 팔라듐 도금 분리막 및 그 제조 방법이 제공된다. 이에 따라, 수소 선택도, 수소/이산화탄소 또는 수소/질소 선택도가 우수한 분리막을 제공할 수 있다. 또한, 팔라듐 도금 막에 있어서 디펙트를 저감할 수 있고 팔라듐 입자가 응집체 없이 균일하게 분포하도록 할 수 있으며, 이에 따라 수소 투과 성능이 우수하도록 할 수 있다.
Int. CL B01D 71/02 (2006.01) B01D 67/00 (2006.01) B01D 71/62 (2006.01)
CPC B01D 71/02(2013.01) B01D 71/02(2013.01) B01D 71/02(2013.01) B01D 71/02(2013.01)
출원번호/일자 1020150103261 (2015.07.21)
출원인 한국과학기술연구원, 율촌화학 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0020350 (2016.02.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140105373   |   2014.08.13
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.21)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 율촌화학 주식회사 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최선희 대한민국 서울특별시 성북구
2 한종희 대한민국 서울특별시 성북구
3 김진호 대한민국 경기도 군포시 번영로***번길 **, *
4 박종협 대한민국 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 율촌화학 주식회사 대한민국 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0708827-68
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0711054-53
3 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2016.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0567651-45
4 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2016.06.14 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0567671-58
5 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee		 2016.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0092827-69
6 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2016.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0095602-18
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2016.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0113751-25
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0605199-36
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1024133-05
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1135737-31
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1242758-77
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1242757-21
13 등록결정서
Decision to grant		 2017.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0307817-88
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-0001264-35
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
폴리벤지이미다졸계 고분자 막을 지지체로 하고, 상기 폴리벤지이미다졸계 고분자 막 표면을 과산화수소(H2O2)로 표면 처리 하고,상기 표면 처리된 지지체에 팔라듐을 무전해 도금하는 것을 포함하고,상기 폴리벤지이미다졸계 고분자는 다음 [화학식 1]의 구조를 가지는 것인 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법:[화학식 1]여기서, Ar은 이고, R은 수소, 메틸기, 네오펜틸기 및 벤질기 중에서 선택된 어느 하나이다
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3 3
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4 4
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5 5
제 1 항에 있어서,상기 과산화수소의 농도는 0
6 6
제 1 항에 있어서,상기 팔라듐 무전해 도금은 진공 무전해 도금인 것을 특징으로 하는 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
7 7
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8 8
제 1 항에 있어서,상기 표면 처리 후 무전해 도금 전에 상기 지지체를 감작화(sensitization) 및 활성화(activation) 중 하나 이상의 처리를 수행하는 것을 포함하는 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 감작화는 상기 지지체를 SnCl2 및 산을 포함하는 용액에 침지하는 것을 포함하는 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 활성화는 상기 지지체를 PdCl2 및 산을 포함하는 용액에 침지하는 것을 포함하는 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 활성화는 2회 이상 수행하는 것인 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
12 12
폴리벤지이미다졸계 고분자 막을 지지체로 하고, 해당 지지체에 팔라듐이 무전해 도금된 팔라듐 도금층을 가지며, 상기 팔라듐 도금 층은 팔라듐 입자들이 팩킹된(packed) 미세 구조(microstructure)를 가지는 팔라듐 도금 분리막이고,상기 폴리벤지이미다졸계 고분자는 다음 [화학식 1]의 구조를 가지고:[화학식 1](여기서, Ar은 이고, R은 수소, 메틸기, 네오펜틸기 및 벤질기 중에서 선택된 어느 하나이다)상기 폴리벤지이미다졸계 고분자 막 표면을 과산화수소(H2O2)로 표면 처리 한 후 도금이 수행된 것인 팔라듐 도금 분리막
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15 15
제 12 항에 있어서, 폴리벤지이미다졸계 고분자 막은 물방울 접촉각이 20~70o인 것을 특징으로 하는 팔라듐 도금 분리막
16 16
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17 17
제 12 항에 있어서,상기 폴리벤지이미다졸계 고분자 막은 표면 처리 후 도금 전에 감작화(sensitization) 및 활성화(activation) 중 하나 이상이 처리된 것인 팔라듐 도금 분리막
18 18
제 17 항에 있어서,상기 폴리벤지이미다졸계 고분자 막은 표면에 팔라듐 핵(seed)이 형성된 것인 팔라듐 도금 분리막
19 19
제 12 항, 제 15 항, 제17항 및 제18항 중 어느 한 항에서 있어서,폴리벤지이미다졸계 고분자 막과 팔라듐 도금층은 앵커링되는 것을 특징으로 하는 팔라듐 도금 분리막
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1 JP28041420 JP 일본 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2016041420 JP 일본 DOCDBFAMILY
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