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입체 구조의 게이트 플라즈몬 웨이브 트랜지스터를 이용한 극광대역 전력 검출 소자(Hyper wideband power detector using 3D gate plasmon wave transistor)

  • 기술번호 : KST2016006846
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극광대역 전력 검출 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 입체 구조의 게이트 전극을 가지는 플라즈몬 웨이브 트랜지스터 및 이를 효과적으로 구동할 수 있는 회로를 포함하여 전력 검출 소자를 구성함으로써, 고감도 검출 특성과 저잡음 특성과 함께 높은 집적도를 구현할 수 있는 극광대역 전력 검출 소자에 관한 것이다. 본 발명은 기판의 상부로 돌출된 반도체 돌출부와, 상기 반도체 돌출부의 상부 및 측부의 일부 또는 전부에 위치하는 입체 구조의 게이트 전극을 포함하는 플라즈몬 웨이브 트랜지스터; 및 상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 삽입되어, 상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터를 입력 신호의 전력 크기에 따라 소정의 신호로 출력하는 플라즈몬 전력 검출 모드로 동작시키는 모드 캐패시터를 포함하여 구성되며, 상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 입력 신호 또는 그 파생 신호와 소정의 바이어스 전압이 인가되고, 상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터의 드레인 전극에는 상기 입력 신호 또는 그 파생 신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 전력 검출 소자를 구현하는 효과를 갖는다.
Int. CL G01R 29/08 (2006.01.01) G01N 21/552 (2014.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC G01R 29/0871(2013.01) G01R 29/0871(2013.01) G01R 29/0871(2013.01)
출원번호/일자 1020140104126 (2014.08.12)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0019981 (2016.02.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양종렬 대한민국 서울특별시 송파구
2 백동현 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0759706-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부로 돌출된 반도체 돌출부와,상기 반도체 돌출부의 상부 및 측부의 일부 또는 전부에 위치하는 입체 구조의 게이트 전극을 포함하는 플라즈몬 웨이브 트랜지스터; 및상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 삽입되어, 상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터를 입력 신호의 전력 크기에 따라 소정의 신호로 출력하는 플라즈몬 전력 검출 모드로 동작시키는 모드 캐패시터를 포함하여 구성되며,상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 입력 신호 또는 그 파생 신호와 소정의 바이어스 전압이 인가되고,상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터의 드레인 전극에는 상기 입력 신호 또는 그 파생 신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 전력 검출 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 입체 구조의 게이트 전극은 상기 반도체 돌출부의 상부에 위치하는 하나 이상의 상부 게이트 전극 및 상기 반도체 돌출부의 측부에 위치하는 하나 이상의 측부 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전력 검출 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 입체 구조의 게이트 전극은 상기 반도체 돌출부의 상부 및 양측 측부에 위치하는 일체형 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 전력 검출 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터의 소스 전극은 직류 바이어스나 접지면과 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 검출 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터의 드레인 전극은 바이어스 공급 회로 또는 접지면과 연결되지 않는 플로팅 노드(floating node)인 것을 특징으로 하는 전력 검출 소자
6 6
제5항에 있어서,상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 바이어스 공급 회로 또는 접지면 사이에 소정의 기준치 이상의 임피던스를 가지는 소자가 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 검출 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 입력 신호의 전력 크기에 따라 소정의 크기를 가지는 직류 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 전력 검출 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 플라즈몬 웨이브 트랜지스터는 임계치 미만 영역(sub-threshold region)에서 동작하는 것을 특징으로 하는 전력 검출 소자
9 9
제1항 내지 제8항에 기재된 전력 검출 소자가 복수개 배열된 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 전력 검출 배열 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.