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(a) 상면에 전기전도성막이 코팅된 유연 기판을 준비하는 단계; 및(b) 상기 유연 기판의 하면에 플라즈마 유발 에너지원을 조사하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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제1항에서,상기 유연 기판은 투과율이 상기 전기전도성막보다 우수한 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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제1항에서,상기 유연 기판은 상면에 전기전도성막이 코팅되되, 투과율이 90%이며, 곡률반경 5m 이하로 휘어질 수 있는 것임을 특징으로 하는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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제1항에서,상기 유연 기판은 두께 500㎛이하인 유리 기판인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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제1항에서,상기 전기전도성막은 세라믹계, 세라믹합금계, 도핑계, 금속계, 유기계 및 유기하이브리드계 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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제1항에서,상기 전기전도성막은 투명전도막(TCO, Transparent Conductive Oxide)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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제5항에서,상기 투명전도막은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ATO(Antimon Tin Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), ZnO(Zinc oxide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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제1항에서,상기 플라즈마 유발 에너지원은 레이저, 자외선 램프, 전자기파, 마이크로 웨이브, 방사선, 중성자, 감마선, IR열선, 전자빔, 전자기유도 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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제1항에서,상기 (b)단계는 상기 유연 기판의 하면에 플라즈마 유발 에너지원을 조사하되, 조사 각도가 상기 유연 기판 하면과 수직기준으로 -30° 내지 30° 범위에서 가변될 수 있는 상태에서 조사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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제9항에서,상기 유연 기판은 투과율이 90%이며, 곡률반경 5m 이하로 휘어질 수 있는 두께 500㎛이하인 유리 기판이고, 상기 전기전도성막은 FTO 투명전도막인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법
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