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(a) 상면에 전기전도성막이 코팅된 기판을 준비하는 단계; 및(b) 상기 기판의 상면에 플라즈마 유발 에너지원을 조사하되, 조사 각도가 상기 기판 상면과 수직기준으로 5°에서 85° 또는 -85°에서 -5°사이를 이루도록 조사하는 단계;를 포함하여,상기 전기전도성막은 상기 플라즈마 유발 에너지원의 조사영역 및 상기 조사영역의 맞은편 인접영역에서 플라즈마 유발에 의해 식각이 이루어져, 플라즈마 유발 에너지원을 수직 조사하는 경우보다 동일 에너지당 2배 이상의 식각 폭이 형성되는 플라즈마 광폭 전기전도성막 식각 방법
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제1항에서,상기 전기전도성막은 세라믹계, 세라믹합금계, 도핑계, 금속계, 유기계 및 유기하이브리드계 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 광폭 전기전도성막 식각 방법
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제1항에서,상기 전기전도성막은 투명전도막(TCO, Transparent Conductive Oxide)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 광폭 전기전도성막 식각 방법
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제3항에서,상기 투명전도막은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ATO(Antimon Tin Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), ZnO(Zinc oxide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 광폭 전기전도성막 식각 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,상기 플라즈마 유발 에너지원은 레이저, 자외선 램프, 전자기파, 마이크로 웨이브, 방사선, 중성자, 감마선, IR열선, 전자빔, 전자기유도 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 광폭 전기전도성막 식각 방법
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