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UV 센서 및 그 제조방법(UV sensor and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2016006937
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 UV 센서 및 그 제조방법을 제공한다. UV 센서는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하되, 절연체 물질을 포함하는 절연체층, 상기 절연체층 상에 위치하되, 산화물 반도체를 포함하는 산화물 반도체층 및 상기 산화물 반도체층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 절연체층과 상기 산화물 반도체층 사이에서 정류특성을 갖고, UV 조사에 따른 제1 전극 및 제2 전극 사이의 광전류 변화를 이용한다. 따라서, 산화물 반도체와 절연체층 사이에 일어나는 정류 효과를 이용하여, UV 센서의 off-current를 낮출 수 있다.
Int. CL H01L 31/103 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/09 (2006.01)
CPC H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01)
출원번호/일자 1020140105774 (2014.08.14)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1683341-0000 (2016.11.30)
공개번호/일자 10-2016-0021328 (2016.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20161207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울특별시 광진구
2 김명호 대한민국 인천광역시 서구
3 최명재 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0770504-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0706704-15
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0053244-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0337368-92
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0636481-87
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0636473-11
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0852059-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하되, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함하는 절연체층;상기 절연체층 상에 위치하되, a-IGZO를 포함하는 산화물 반도체층; 및상기 산화물 반도체층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 절연체층 및 산화물 반도체층은 100℃ 내지 250℃의 온도에서 열처리되고 상기 절연체층과 상기 산화물 반도체층 사이에서 정류특성을 가지며,상기 제2 전극에 양 전압이 인가되고 상기 제1 전극에 음 전압이 인가되는 경우, 상기 산화물 반도체층에 자외선(UV)이 조사되지 않은 상태에서 감지되는 암 전류에 비해 상기 산화물 반도체층에 UV가 조사될 때 감지되는 광 전류가 105배 큰, UV 센서
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 독립적으로 Al, Cu, Pt, Ti, In, Ga, Zn, Au 및 Mo로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 UV 센서
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 투명 전극인 것을 특징으로 하는 UV 센서
4 4
제3항에 있어서,상기 투명 전극은 TO(Tin oxide), ATO(Antimony doped Tin oxide), FTO(Fouorine doped Tin oxide), ITO(Indium Tin Oxide), FITO (Flu orinated Indium Tin oxide), FITO (Fouorine Indium Tin oxide), IZO(Indium doped Zinc oxide), AZO(Al-doped ZnO) 및 ZnO(zinc oxide)로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 UV 센서
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기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함하는 절연체층을 형성하는 단계;상기 절연체층 상에 a-IGZO를 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 기판을 100℃ 내지 250℃의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하되,상기 열처리는 상기 산화물 반도체층이 형성된 이후 수행되고,상기 절연체층과 상기 산화물 반도체층 사이에서 정류특성을 가지며,상기 제2 전극에 양 전압이 인가되고 상기 제1 전극에 음 전압이 인가되는 경우, 상기 산화물 반도체층에 자외선(UV)이 조사되지 않은 상태에서 감지되는 암 전류에 비해, 상기 산화물 반도체층에 UV가 조사될 때 감지되는 광전류가 105배 큰, UV 센서 제조방법
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