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투명전극 기반의 유전영동 소자 제조 방법(METHOD OF MANUFACTURING DIELECTROPHORESIS DEVICE USING TRANSPARENT ELECTRODE)

  • 기술번호 : KST2016006971
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유전영동에 의하여 나노갭 전극들 사이에 형성된 반도체 나노 입자들을 정렬시킬 수 있는 투명전극 기반의 유전영동 미세유체소자 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 미세유체소자 제조 방법은 (a) 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; (b) 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 소프트 베이크(Soft bake)를 실시하는 단계; (c) 상기 소프트 베이크를 실시한 기판을 UV램프에 노출시켜 노광을 실시하는 단계; (d) 상기 노광을 실시한 기판에 포스트 베이크(Post exposure bake)를 실시하는 단계; (e) 상기 포스트 베이크를 실시한 기판을 현상액에 담궈 현상 및 식각 공정을 실시하는 단계; (f) 상기 현상 및 식각 공정이 완료된 기판에 투명전극을 증착하는 단계; 및 (g) 상기 투명전극이 증착된 기판을 스트립(Strip) 용액에 담궈 상기 포토레지스트를 제거하여 투명전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) B03C 5/00 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020160010973 (2016.01.28)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1682915-0000 (2016.11.30)
공개번호/일자 10-2016-0021798 (2016.02.26) 문서열기
공고번호/일자 (20161207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2012-0153578 (2012.12.26)
관련 출원번호 1020120153578
심사청구여부/일자 Y (2016.01.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤영준 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 선지윤 대한민국 서울특별시 양천구
3 김창열 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0096619-79
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0196002-89
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0462030-28
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0462036-02
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0619254-22
6 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.09.28 수리 (Accepted) 7-1-2016-0055963-50
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-1062678-45
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.10.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1062679-91
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0850070-36
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
나노 소재를 분리, 배향 또는 배열하기 위한 유전영동 소자의 제조 방법으로서, (a) 유리 또는 고분자 재질의 기판 상에 포토레지스트를 2500 ~ 3500rpm 조건으로 10 ~ 30sec 동안 도포하는 단계; (b) 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 소프트 베이크(Soft bake)를 90 ~ 100℃의 온도에서 80 ~ 100초 동안 실시하는 단계; (c) 상기 소프트 베이크를 실시한 기판을 마스크를 통해 UV램프에 노출시켜 노광을 355 ~ 375nm 파장대에서 350 ~ 400mJ/cm²의 세기로 5 ~ 6초 동안 실시하는 단계; (d) 상기 노광을 실시한 기판에 포스트 베이크(Post exposure bake)를 100 ~ 120℃의 온도에서 80 ~ 100초 동안 실시하는 단계; (e) 상기 포스트 베이크를 실시한 기판을 현상액에 담궈 현상 및 식각 공정을 실시하는 단계; (f) 상기 현상 및 식각 공정이 완료된 기판에 투명전극을 30 ~ 300nm의 두께로 증착하는 단계; 및 (g) 상기 투명전극이 증착된 기판을 50 ~ 90℃의 온도에서 10 ~ 30분 동안 스트립(Strip) 용액에 담궈 상기 포토레지스트를 제거하여, 서로 이격된 제1 전극과 제2전극을 포함하는 투명전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여,상기 제1 전극과 제2 전극 사이에서 나노소재가 분리, 배향 또는 배열되도록 하고, 상기 투명전극은 ITO(indium tin oxide), ATO(antimony-doped tin oxide), FTO(fluorine-doped tin oxide), PEDOT(poly3,4-ethylenedioxythiophene) 및 ZnO(zinc oxide) 중 선택된 1종 이상이 이용되고,상기 투명전극 패턴을, 제1 전극과 제2 전극 사이의 전극갭이 5~10㎛가 되도록 하고, 제1 전극과 제2 전극의 마주보는 양단이 구형을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
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1 KR1020140083627 KR 대한민국 FAMILY

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