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태양전지 및 그 제조 방법(Solar cell and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2016007002
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 배면전극층; 상기 배면전극층 상에 형성된 CIGS 광흡수층; 및 상기 CIGS 광흡수층 상에 CBD(Chemical Bath Deposition) 방법으로 형성된 카드뮴(Cd) 및 황(S)을 포함하는 버퍼층;을 포함하고, 상기 CIGS 광흡수층과 상기 버퍼층의 접합 계면의 전도띠 오프셋(Conduction Band Offset)이 0.3eV 내지 0.6eV의 값을 갖는, 태양전지 및 태양전지의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/046 (2014.01)
CPC H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020140107737 (2014.08.19)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1614771-0000 (2016.04.18)
공개번호/일자 10-2016-0022089 (2016.02.29) 문서열기
공고번호/일자 (20160422) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전찬욱 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0783693-94
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0148170-48
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0923197-00
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0032956-42
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0485342-53
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0778572-95
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0778573-30
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0070306-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
배면전극 및 CIGS 광흡수층을 구비하는 기판을 준비하는 단계; 및상기 CIGS 광흡수층 상에 CBD(Chemical Bath Deposition) 방법으로 카드뮴(Cd) 및 황(S)을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 버퍼층을 형성하는 단계는, 상기 CIGS 광흡수층과 상기 버퍼층의 접합 계면의 전도띠 오프셋(Conduction Band Offset)이 0
2 2
배면전극 및 CIGS 광흡수층을 구비하는 기판을 준비하는 단계; 및상기 CIGS 광흡수층 상에 CBD(Chemical Bath Deposition) 방법으로 카드뮴(Cd) 및 황(S)을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 버퍼층을 형성하는 단계는, 상기 CIGS 광흡수층과 상기 버퍼층의 접합 계면의 전도띠 오프셋(Conduction Band Offset)이 0
3 3
배면전극 및 CIGS 광흡수층을 구비하는 기판을 준비하는 단계; 및상기 CIGS 광흡수층 상에 CBD(Chemical Bath Deposition) 방법으로 카드뮴(Cd) 및 황(S)을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 버퍼층을 형성하는 단계는, 상기 CIGS 광흡수층과 상기 버퍼층의 접합 계면의 전도띠 오프셋(Conduction Band Offset)이 0
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계에서, 상기 카드뮴 소스의 농도가 상기 황 소스의 농도보다 증가될수록 상기 전도띠 오프셋 값이 증가될 수 있는, 태양전지의 제조방법
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계에서, 상기 황 소스의 농도가 상기 카드뮴 소스의 농도보다 감소될수록 상기 전도띠 오프셋 값이 증가될 수 있는, 태양전지의 제조방법
6 6
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 CIGS 광흡수층은 구리, 인듐 및 갈륨을 포함하는 예비광흡수층 상에 셀렌화(selenization) 및 황화(sulfurization)를 수행함으로써 형성된, 태양전지의 제조방법
7 7
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항의 태양전지의 제조방법을 이용하여 형성한 태양전지로서, 상기 태양전지는, 기판;상기 기판 상에 형성된 배면전극층;상기 배면전극층 상에 형성된 CIGS 광흡수층; 및상기 CIGS 광흡수층 상에 CBD(Chemical Bath Deposition) 방법으로 형성된 카드뮴(Cd) 및 황(S)을 포함하는 버퍼층;을 포함하고,상기 CIGS 광흡수층과 상기 버퍼층의 접합 계면의 전도띠 오프셋(Conduction Band Offset)이 0
8 8
제 7 항에 있어서,상기 버퍼층은 전류-전압 곡선 중 개방전압보다 높은 전압구간에서 상기 전압의 증가폭과 상기 전류의 증가폭의 비가 점점 감소되는 롤-오버(roll-over) 특성을 갖는, 태양전지
9 9
제 7 항에 있어서,상기 버퍼층과 접합되는 상기 CIGS 광흡수층의 표면부는 황(S) 성분이 갈륨(Ga) 성분보다 더 많은, 태양전지
10 10
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1 산업통상자원부 (주)AVACO 광역경제권선도산업육성 고효율 Cd-free 건식 버퍼층 장비 개발 및 양산 적용