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이온성액체를 정제하는 단계(a단계);산화그래핀을 제조하는 단계(b단계);상기 이온성액체에 산화그래핀, 주석전구체 및 용매를 첨가하고, 교반하여 현탁액을 제조하는 단계(c단계);상기 현탁액에 마이크로웨이브를 조사하여 용매를 증발시키는 단계(d단계); 및상기 현탁액에 다시 용매를 첨가하고 원심분리하여, 표면에 산화주석이 침적된 그래핀을 수득하는 단계(e단계)를 포함하며,상기 이온성액체는 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플로로포스페이트(1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate), 1-헥실-3-메틸이미다졸리움 헥사플로로포스페이트(1-hexyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플로로보레이트(1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플로로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate) 및 1-헥실-3-메틸이미다졸리움 테트라플로로보레이트(1-hexyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀-산화주석 나노복합체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 주석전구체는, 틴(II) 메톡사이드 (tin (II) methoxide), 틴(II) 에톡사이드 (tin(II) ethoxide), 틴(IV) 아이소프로폭사이드 (tin(IV) isopropoxide) 및 틴(IV) 터트뷰톡사이드 (tin(IV) tert-butoxide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀-산화주석 나노복합체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 b단계는 0 내지 5℃에서 1 내지 5 g의 흑연에 30 내지 150 ㎖의 진한 황산을 가하여 산화시키고, 30 내지 50℃에서 20 내지 50분 동안 교반하여 혼합한 이후에, 다시 원심분리를 통해 박리하여 산화그래핀을 제조하는 것을 특징으로 하는 그래핀-산화주석 나노복합체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 c단계에서는 상기 이온성액체 100 중량부에 대해 상기 산화그래핀 0
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청구항 1에 있어서, 상기 c단계에서 제조된 현탁액을 1 내지 3시간 동안 상온에서 보전하여 주석전구체를 가수분해하는 것을 특징으로 하는 그래핀-산화주석 나노복합체 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 산화그래핀과 주석전구체가 중량비로 1 : 1 내지 30인 것을 특징으로 하는 그래핀-산화주석 나노복합체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 d단계에서, 상기 현탁액을 120 내지 150 W의 마이크로웨이브를 5 내지 15 분 동안 조사하여 주석화합물을 산화주석(II)으로 전환시키고 산화그래핀을 환원시키는 것을 특징으로 하는 그래핀-산화주석 나노복합체 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 e단계에서, 반응이 완료된 상기 현탁액을 상온으로 냉각시킨 후 에탄올을 첨가하여 이온성액체를 녹인 후, 원심분리기를 사용하여 표면에 산화주석이 침적된 그래핀을 분리하고, 에탄올로 5 내지 8회 세척하며, 30 내지 50℃에서 10 내지 20시간 건조시키는 것을 특징으로 하는 그래핀-산화주석 나노복합체 제조방법
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