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황을 포함하는 비휘발성 메모리 특성 브러쉬 고분자 및 그 제조 방법, 이를 이용한 메모리 소자(BRUSH POLYMER COMPRISING SULFER WITH NON-VOLETIEL MEMORY PROPERTIES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, MEMORY CHIP USING THEREOF)

  • 기술번호 : KST2016007139
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 황을 포함하는 헤테로 사이클 기능기가 말단에 도입된 브러쉬 고분자 및 그 제조 방법과 그 응용에 관한 것이다. 발명된 고분자는 상부 전극과 하부 전극 사이에서 이 고분자를 활성층으로 하는 디지털 메모리 소자로써 응용이 가능하다.본 발명에 따른 고분자는 적어도 일부의 브러쉬 말단에 황을 포함하는 헤테로 사이클 관능기를 가지는 메모리 소자용 폴리 비닐 브러쉬 고분자이다.
Int. CL C08L 41/00 (2006.01) C08F 228/06 (2006.01) C08F 28/06 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) C08L 101/02 (2006.01)
CPC C08F 228/06(2013.01) C08F 228/06(2013.01) C08F 228/06(2013.01) C08F 228/06(2013.01) C08F 228/06(2013.01) C08F 228/06(2013.01)
출원번호/일자 1020140107919 (2014.08.19)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1651332-0000 (2016.08.19)
공개번호/일자 10-2016-0022471 (2016.03.02) 문서열기
공고번호/일자 (20160826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.19)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김영규 대한민국 대구광역시 수성구
3 송성진 대한민국 대전광역시 서구
4 남성호 대한민국 대구광역시 수성구
5 정성민 대한민국 경상남도 창원시
6 권경호 대한민국 대구광역시 동구
7 이진석 대한민국 경기도 부천시 소사구
8 김화정 대한민국 대구광역시 수성구
9 서주역 대한민국 경상남도 창원시 진해구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0784771-25
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0013145-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0904885-95
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0109941-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0109943-52
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0526933-67
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 일부의 브러쉬 말단에 황을 포함하는 헤테로 사이클 관능기를 가지는 메모리 소자용 폴리 비닐 브러쉬 고분자에 있어서, 상기 황을 포함하는 헤테로 사이클 관능기는 -C10H5BrN3S, -C10H6N3OS, -C10H6N3S, -C12H9N2S, -C23H16N3S, -C22H14N3S, -C20H16N3O2S, -C11H8ClN2O2S, -C11H10N3O2S, -C13H11N2O3S, -C11H7N2OS, -C12H8ClNO2S, -C13H9ClNO2S, -C8H3Br2S, -C8H3O2S, -C8H4BrS, -C8H4ClO2S2, -C8H4IS, -C8H5S, -C8H6NO2S, -C8H6NS, -C8H7OS, -C9H2Cl2FOS, -C9H3BrClOS, -C9H3BrClO2S,-C9H3ClFO2S, -C9H3ClNO3S, -C9H3Cl2OS, -C9H4BrOS, -C9H4BrO2S, -C9H4ClOS, -C9H4ClO2S, -C9H4FO2S, -C9H4IO2S, -C9H4NOS, -C9H4NS, -C9H5BrClO2S2, -C9H5ClFO2S2, -C9H5OS, -C9H5O2S, -C9H5O2S, -C9H6BrS, -C9H6ClOS, -C9H6ClO2S, -C9H6ClO2S2, -C9H6ClS, -C9H6NO2S, -C9H6NS2, -C9H7ClNO2S2, -C9H7OS, -C9H7S, -C9H8NS, -C9H8N3OS, -C9H9ClNS, -C9H9O2S, -C9H10ClN2OS, -C10H7ClFO2S, -C10H5ClNS, -C10H5Cl2O2S, -C10H5Cl2O3S, -C10H6BrOS, -C10H6BrO2S, -C10H7OS, -C10H7O2S, -C10H10NOS, -C10H10NS, -C11H7OS, -C12H7S, -C13H8NS, -C13H9S, -C14H11S, -C16H15S, -C12H10NO2S2, -C3H2NOS, -C4Cl2N2S, -C4Cl2NO2S, -C4H2NO2S, -C4H4BrNS, -C4H4BrN2S, -C8H4NO2S, -C9H5ClN3S, -C9H6ClN2OS, -C9H6NOS, C9H6NO2S, -C9H8NOS, -C11H7N2OS, -C11H10NO2S, -C11H10NO4S2, -C12H7N2O2S, -C12H12NO2S, -C13H11N2OS, -C2BrClN2S, -C2ClN2S, -C2HN2OS, -C4H2ClN2OS, -C4H5N2OS, -C5HN2O2S2, -C5H3BrN3S, -C5H4BrN2S, -C5H4F3N2O2S, -C6HBr2N2S, -C7H2ClN2OS, -C7H5N4S, -C7H7N4S3, -C8H6N3S, -C3Cl2N2O2S, -C3Br2N2S, -C3BrClNS, -C3H2NS, -C5H4ClN2O3S2, -C7H2BrClNS, -C7H2Cl2NOS, -C7H3ClNO2S2, -C7H4FNOS, -C7H4BrN2S2, -C7H4NS, -C7H5N2OS, -C7H5N2O2S, -C7H6N3O2S, -C7H7N4S3, -C7H8BrN2OS, -C8H5ClNO2S3, -C8H5N2OS, -C8H6NOS2, -C10H7N2S, -C10H8N5S, -C4H3S, -C7H3BrNOS, -C7H5N2S2, -C7H5N2OS, -C7H7O2S, -C8H5S2, -C8H6NOS2, -C8H6NO2S4, -C8H7O2S, -C9H5NS, -C9H7O2S, -C9H8NOS, -C11H9N2OS, -C11H9N4S, -C6H4S4, -C7H4OS2, -C7H3O2S2, -C7H3O3S, -C8H4NOS, -C10H8S8, -C12H8OS2, -C13H8OS, -C16H10S 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자용 폴리 비닐 브러쉬 고분자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 황을 포함하는 헤테로사이클 관능기는 하기 화학식 1로 표현되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자용 폴리 비닐 브러쉬 고분자
4 4
제1항에 있어서, 상기 폴리비닐 브러쉬 고분자는 하기 화학식(2)로 표현되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자용 폴리비닐 브러쉬 고분자
5 5
제4항에 있어서, 상기 링커는 -C6H6-, -CH2ORO-, -CH2OROCO-, -CH2ORCOO-,-CH2OCORO-, -CH2ORNHCO-, -CH2OROCO(CH2)2OCO-, -CH2ORCO-, -CH2OROCO(CH2)2OCOR-, -CH2OCO(C6H6)2RO-, -CH2OCO(C6H6)2ROCO-, -CH2OCO(C6H6)2RCOO-, -CH2OCO(C6H6)2RNHCO-, -CH2OCO(C6H6)2ROCO(CH2)2OCO-,-CH2OCO(C6H6)2ROCO(CH2)2OCORO-, -CH2OCORO(C6H6)2-, -CH2OCOROCO(C6H6)2-, -CH2OCORCOO(C6H6)2-, -CH2OCORNHCO(C6H6)2, -CH2OCORO(C6H6)2ORO-, -CH2OCORO(C6H6)2ORCO-, -CH2OCORO(C6H6)2ORCOO-, -CH2OCOROCO(C6H6)2ORO-, -CH2OCOROCO(C6H6)2ORCO-, -CH2OCOROCO(C6H6)2ORCOO-, -CH2OCORCOO(C6H6)2ORO-, -CH2OCORCOO(C6H6)2ORCO-, -CH2OCORCOO(C6H6)2ORCOO-, -CH2SRO-, -CH2SROCO-, -CH2SRCOO-, -CH2SRO-, -CH2SRNHCO-, -CH2SROCO(CH2)2OCO-, -CH2SRCO-, -CH2SROCO(CH2)2OCOR-, -CH2SO2RO-, -CH2SO2ROCO-, -CH2SO2RCOO-, -CH2SO2RNHCO-, -CH2SO2ROCO(CH2)2OCO-, -CH2SO2ROCO(CH2)2OCOR-, -CH2SO2RCO-, -CH2ORSRO-, -CH2ORSROCO-, -CH2ORSRCOO-, -CH2ORSRNHCO-, -CH2ORSROCO(CH2)2OCO-, -CH2ORSROCO(CH2)2OCOR-로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되며, 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬렌기인 것을 특징으로 하는 메모리 소자용 폴리비닐 브러쉬 고분자
6 6
제4항에 있어서, 상기 화학식(2)의 브러쉬 고분자는 하기 화학식(3)으로 표현되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자용 폴리비닐 브러시 고분자
7 7
제4항에 있어서, 폴리 비니 브러쉬 고분자의 양단은 -C12H25, -C6H6, -NRC6H6, -OC2H5, -S-C12H25, -C6H6CN, -S(CH3)2CO2C5F5, -N(C5H5)2, -C4H4N, -N(CH3)2C5H5N, -C2H5, -SCH3, -C5H9NO, -O-C5H5, -N-CH(C2H5)2, -SCH2C5H5, -SCH2CH2CO2H, -C(CH3)2CN, -CH2CN, -SCS2C12H25, -SCSC5H5, -C(CH3)2C5H5, -CH2C5H5, -CCH3CNCH2CH2CO2H, -CCH3CNCH2CH2CH2OH, -CHCH3CO2CH3, -CHC5H5CO2CH3, -CHCH3CO2CH3, -C(CH3)2CO2C2H5, -CHCH3CO2H, -C(CH3)2CO2H, -C(CH3)2CO2CH3, -CCH3CNCH2CH2CO2C4H4NO2,-CCH3CNCO(OCH2CH2)nOCH3, -C(CH3)2CO2C4H4NO2, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCH3, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCOC(CH3)2SCS2C12H25, -C(CH3)2COCH2CH2CH2N3, -C3H7, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCH3, -CSC5H5, -SCS2C3H7, -C(CH3)3, -CH2CH2CO2H, -SCSN(CH3)C5H4N, -SCS2C2H4COOH, -C6H5로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자용 폴리비닐 브러시 고분자
8 8
제4항에 있어서, 상기 폴리비닐브러쉬 고분자는 하기 화학식(4)로 표현되는 것을 특징으로 하느 메모리 소자용 폴리비닐 브러시 고분자
9 9
하기 화학식(5)로 표현되는 비닐 구조의 단량체들을 중합하여 적어도 일부의 브러쉬 말단에 황을 포함하는 헤테로 사이클 관능기를 가지는 메모리 소자용 폴리 비닐 브러쉬 고분자를 제조하는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 링커 Z는 -C6H6-, -CH2ORO-, -CH2OROCO-, -CH2ORCOO-,-CH2OCORO-, -CH2ORNHCO-, -CH2OROCO(CH2)2OCO-, -CH2ORCO-, -CH2OROCO(CH2)2OCOR-, -CH2OCO(C6H6)2RO-, -CH2OCO(C6H6)2ROCO-, -CH2OCO(C6H6)2RCOO-, -CH2OCO(C6H6)2RNHCO-, -CH2OCO(C6H6)2ROCO(CH2)2OCO-,-CH2OCO(C6H6)2ROCO(CH2)2OCORO-, -CH2OCORO(C6H6)2-, -CH2OCOROCO(C6H6)2-, -CH2OCORCOO(C6H6)2-, -CH2OCORNHCO(C6H6)2, -CH2OCORO(C6H6)2ORO-, -CH2OCORO(C6H6)2ORCO-, -CH2OCORO(C6H6)2ORCOO-, -CH2OCOROCO(C6H6)2ORO-, -CH2OCOROCO(C6H6)2ORCO-, -CH2OCOROCO(C6H6)2ORCOO-, -CH2OCORCOO(C6H6)2ORO-, -CH2OCORCOO(C6H6)2ORCO-, -CH2OCORCOO(C6H6)2ORCOO-, -CH2SRO-, -CH2SROCO-, -CH2SRCOO-, -CH2SRO-, -CH2SRNHCO-, -CH2SROCO(CH2)2OCO-, -CH2SRCO-, -CH2SROCO(CH2)2OCOR-, -CH2SO2RO-, -CH2SO2ROCO-, -CH2SO2RCOO-, -CH2SO2RNHCO-, -CH2SO2ROCO(CH2)2OCO-, -CH2SO2ROCO(CH2)2OCOR-, -CH2SO2RCO-, -CH2ORSRO-, -CH2ORSROCO-, -CH2ORSRCOO-, -CH2ORSRNHCO-, -CH2ORSROCO(CH2)2OCO-, -CH2ORSROCO(CH2)2OCOR-로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되며, 상기 R은 탄소수 1-20의 알킬렌기인 것을 특징으로 하는 방법
11 11
삭제
12 12
제9항에 있어서, 상기 화학식 (5)의 화합물은 하기 화학식(6)으로 표현되는 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 중합은 하기 화학식 (7)로 표현되는 연쇄전달체(chain transfer agent) 촉매하에서 이루어지며, (7)여기서, Zt는 -C12H25, -C6H6, -NRC6H6, -OC2H5, -S-C12H25, -C6H6CN, -S(CH3)2CO2C5F5, -N(C5H5)2, -C4H4N, -N(CH3)2C5H5N, -C2H5, -SCH3, -C5H9NO, -O-C5H5, -N-CH(C2H5)2, -SCH2C5H5, -SCH2CH2CO2H에서 선택되며, Rt은 -C(CH3)2CN, -CH2CN, -SCS2C12H25, -SCSC5H5, -C(CH3)2C5H5, -CH2C5H5, -CCH3CNCH2CH2CO2H, -CCH3CNCH2CH2CH2OH, -CHCH3CO2CH3, -CHC5H5CO2CH3, -CHCH3CO2CH3, -C(CH3)2CO2C2H5, -CHCH3CO2H, -C(CH3)2CO2H, -C(CH3)2CO2CH3, -CCH3CNCH2CH2CO2C4H4NO2, -CCH3CNCO(OCH2CH2)nOCH3, -C(CH3)2CO2C4H4NO2, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCH3, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCOC(CH3)2SCS2C12H25, -C(CH3)2COCH2CH2CH2N3, -C3H7, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCH3, -CSC5H5, -SCS2C3H7, -C(CH3)3, -CH2CH2CO2H, -SCSN(CH3)C5H4N에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
14 14
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 단량체는 할로젠기와 보로닉산의 스즈키-연결반응(Suzuki-Coupling)을 통해 합성되는 것을 특징으로 하는 방법
15 15
제1항 및 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 폴리비닐 브러시 고분자의 활성층을 포함하는 것을 특징으로 고분자 메모리 소자
16 16
제15항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자는 비휘발성 메모리 소자인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 디지털 프로그램 비휘발성 메모리 고분자 나노소재 연구