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반도체 기판과 수직 방향으로 지지층과 반도체층이 번갈아 가며 적층되며, 적어도 한층의 상기 반도체층이 적층되어 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극 사이에 상기 반도체 기판과 수직 방향으로 적어도 한층이 적층되어 3차원 구조를 가지는 나노 그물망; 상기 나노 그물망의 게이트 절연층에 고정되어 표적물질을 화학적으로 포획할 수 있는 수용물질; 및상기 나노 그물망과 상기 반도체 기판의 사이에 위치하며, 상기 반도체 기판과 수직 방향으로 형성된 수직 미세유체 채널;을 포함하되,상기 나노 그물망과 상기 수직 미세유체 채널은 하나의 상기 반도체 기판에 집적되며, 상기 표적물질을 포함하는 유체는 상기 나노 그물망을 수직방향으로 관통하여 흐르는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서
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제 1항에 있어서, 상기 수직 미세유체 채널은원기둥, 사각기둥, 사다리꼴 및 깔때기 형태를 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서
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제 1항에 있어서, 상기 나노 그물망은육각형, 사각형, 원형 및 직선 중 어느 하나의 형태를 가지며 그물코 모양으로 반복되는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서
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제 1항에 있어서, 상기 나노 그물망은5nm 내지 20 ㎛의 간격을 가지는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서
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제 1항에 있어서, 상기 나노 그물망은적어도 한층이 상기 반도체 기판과 수직 방향으로 적층되는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서
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제 5항에 있어서, 적어도 한층으로 적층된 복수개의 상기 나노 그물망은 서로 이격되어 있어 미세유체가 상기 나노 그물망의 모든 면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서
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제 1항에 있어서, 상기 나노 그물망은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 하이케이 절연막 및 자연 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서
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제 1항에 있어서,수중 게이트 전극을 이용하여 상기 표적물질이 포함된 미세유체을 통해 상기 나노 그물망에 전위를 인가하거나, 전극이 형성된 상기 반도체 기판을 이용하여 상기 나노 그물망에 전위를 인가하거나, 또는, 상기 수중 게이트 전극과 상기 전극이 형성된 반도체 기판을 모두 이용하여 상기 나노 그물망에 전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서
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제 1항에 있어서, 상기 수용물질은 상기 표적물질을 획득하고, 상기 표적물질의 전하에 의해 탐지가 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서
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반도체 기판에 반도체층과 선택적 식각이 가능한 지지층과 반도체층을 번갈아가며 적층되며, 적어도 한층의 상기 반도체층이 상기 반도체 기판과 수직 방향으로 적층하는 적층 단계;상기 지지층과 상기 반도체층이 적층된 상기 반도체 기판에 리소그래피, 나노임프린트 및 식각 공정 중 어느 하나를 이용하여 나노 그물망과 소스 및 드레인 을 형성하는 센서 몸체를 형성하는 몸체 형성 단계;상기 소스 및 드레인의 전기 전도도를 향상하기 위해 불순물을 주입하는 불순물 주입 단계;상기 나노 그물망과 상기 반도체 기판 사이의 상기 반도체 기판을 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용하여 상기 반도체 기판과 수직 방향으로 뚫어 유체가 상기 나노그물망을 수직으로 관통할 수 있도록 미세유체 채널을 형성하는 미세채널 형성 단계;식각공정을 이용하여 상기 나노 그물망의 상기 반도체층 사이에 존재하는 지지층을 제거하는 지지층 제거 단계;상기 나노 그물망 표면에 게이트 절연층을 형성하는 게이트 절연층 형성 단계;상기 소스 및 드레인과 상기 반도체 기판에 전극 금속층 및 수중 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 단계;상기 소스 및 드레인의 전극과 미세유체를 전기적으로 절연시키기 위해 상부 절연층을 형성하는 상부 절연층 형성 단계;상기 나노 그물망의 상기 게이트 절연층과 상기 수중 게이트 전극에 상기 미세유체를 전달하기 위해 주입구를 형성하는 주입구 형성 단계; 및노출된 상기 게이트 절연층에 표적물질을 획득할 수 있는 수용물질을 부착하는 수용물질 부착 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 미세채널 형성 단계에서습식식각, 건식식각 또는 습식식각과 건식식각의 조합을 통하여 상기 반도체 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 게이트 절연층 형성 단계는 상기 나노 그물망 전계효과 센서의 감도를 향상하기 위하여 상기 몸체 형성 단계 또는 상기 불순물 주입 단계에서 손상된 표면을 제거하기 위하여 고온 산화막을 생성하거나 또는 제거하는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 상부 절연층 형성 단계는유전율이 높은 절연체 및 감광제를 통해 상기 미세유체를 전기적으로 절연하는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 나노 그물망은습식식각 또는 건식식각을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 소스 및 드레인은상기 표적물질의 전하 종류에 따라 p형 또는 n형으로 만드는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 나노 그물망은진성, p형 또는 n형으로 만드는 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 지지층은 식각이 가능한 절연체, 반도체 및 도체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직 미세유체 제어 장치를 갖춘 나노 그물망 전계효과 센서의 제조방법
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