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기재 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;상기 형성된 포토레지스트 층에 3차원 광간섭 리소그래피를 이용하여 3차원 광간섭 패턴을 조사함으로써 기공이 연결되어 규칙적으로 배열된 3차원 다공성 고분자 패턴을 형성하는 단계;상기 형성된 3차원 다공성 고분자 패턴에 무기물을 코팅하는 단계;상기 무기물이 코팅된 3차원 다공성 고분자 패턴을 소결하여 무기물 코팅된 3차원 다공성 탄소 패턴 박막을 수득하는 단계;상기 코팅된 무기물을 제거하여 상기 기공이 연결되어 규칙적으로 배열된 3차원 다공성 탄소 패턴 박막을 수득하는 단계; 및상기 수득된 3차원 다공성 탄소 패턴 박막의 기공 내에 실리콘 나노입자가 분산된 용액을 주입한 후 건조하는 과정을 1 회 이상 반복 수행하여 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체를 수득하는 단계를 포함하며,상기 3차원 다공성 탄소 패턴 박막의 상기 기공 내에 상기 실리콘 나노입자가 독립적으로 존재하고,상기 3차원 다공성 탄소 패턴 박막의 기공은 300 nm 내지 1 ㎛의 크기를 가지며, 상기 실리콘 나노입자는 50 nm 내지 150 nm의 크기를 가지는 것인,이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 고분자 패턴을 형성하는 단계는 상기 3차원 광간섭 패턴이 조사된 상기 포토레지스트 층을 현상하는 것을 추가 포함하는 것인, 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3차원 광간섭 패턴은 상기 포토레지스트 층에 복수의 간섭성 평행광을 조사하여 형성되는 것인, 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 형성된 3차원의 다공성 고분자 패턴의 격자 상수는 상기 조사되는 간섭성 평행광의 입사각에 따라 조절되는 것인, 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 형성된 3차원의 다공성 고분자 패턴의 기공 크기는 상기 조사되는 간섭성 평행광의 세기 또는 조사 시간에 따라 조절되는 것인, 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 고분자 패턴은 상기 포토레지스트 층에 3차원의 기공이 규칙적으로 배열된 3차원 면심입방 구조를 포함하는 것인, 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3 차원 다공성 고분자 패턴을 형성하는 단계는 상기 포토레지스트 층에 서로 상이한 주기를 갖는 두 개 이상의 3 차원 광간섭 패턴을 중첩 조사하여 상기 포토레지스트 층에 멀티스케일 격자 패턴을 형성하는 것을 포함하는 것인, 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기물을 코팅하는 단계는 화학기상증착법(CVD), 원자층증착법(ALD), 또는 무전해증착법(electroless deposition)을 이용하는 것을 포함하는 것인, 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 무기물은 실리카, 타이타니아, 지르코니아, 알루미나, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체의 제조 방법
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기공이 연결되어 규칙적으로 배열된 3차원 다공성 탄소 패턴 박막의 상기 기공 내에 주입된 실리콘 나노입자가 독립적으로 존재하는 것을 포함하며,제 1 항, 및 제 5 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는, 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체
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제 13 항에 따른 이차전지 음극 재료용 탄소-실리콘 복합체를 포함하는 음극, 양극, 분리막, 및 전해질을 포함하는, 이차전지
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제 15 항에 있어서,상기 이차전지는 리튬 이온 전지를 포함하는 것인, 이차전지
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