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발광 구조물(light emitting structure)을 준비하는 단계;코어부(core portion), 및 상기 코어부를 둘러싸는 쉘부(shell portion)를 갖는 코어쉘 입자를, 상기 발광 구조물 상에 형성하는 단계; 및상기 코어부를 증발시키고 상기 쉘부를 잔존시켜, 상기 발광 구조물 상에 중공 입자(hollow particle)를 형성하되,상기 쉘부의 두께가 70nm 이하인 범위 내에서, 상기 발광 구조물에서 방출되는 광의 광 추출 효율은, 상기 잔존된 상기 쉘부의 두께가 증가할수록 증가되는 것을 포함하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 쉘부는, 상기 코어부보다 높은 증발 온도(evaporation temperature)를 갖는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 중공 입자를 형성하는 단계는, 상기 코어부의 증발 온도보다 높고, 상기 쉘부의 증발 온도보다 낮은 공정 온도에서 상기 발광 구조물을 열처리하는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 쉘부는, 상기 발광 구조물의 굴절률보다 낮고, 공기의 굴절률보다 높은 값을 갖는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 코어부는 폴리스티렌(polystyrene)으로 형성되고, 상기 쉘부는 실리콘 산화물로 형성되는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 발광 구조물은 질화 갈륨계 반도체층을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 발광 구조물은, 기판; 상기 기판 상의 제1 도전형의 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상의 활성층; 및상기 활성층 상에 배치되고, 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하고, 상기 코어쉘 입자 및 상기 중공 입자는 상기 제2 반도체층에 접촉되는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제1 굴절률을 갖는 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 및상기 발광 구조물 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 코어 영역, 및 상기 코어 영역을 둘러싸고 상기 제1 굴절률보다 낮고 상기 제2 굴절률보다 높은 제3 굴절률을 갖는 쉘부를 포함하는 광 추출 입자를 포함하되,상기 쉘부의 두께가 70nm 이하인 범위 내에서, 상기 발광 구조물에서 방출되는 광의 광 추출 효율은, 상기 쉘부의 두께가 증가할수록 증가되는 것을 포함하는 발광 소자
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제9 항에 있어서, 상기 쉘부의 두께는 70nm 이하인 것을 포함하는 발광 소자
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제9 항에 있어서, 상기 발광 구조물에서 방출된 광의 일부는, 상기 반도체층, 및 상기 쉘부를 차례로 통과하여 굴절률이 점차적으로 감소되는 매질을 따라 외부로 방출되고, 상기 발광 구조물에서 방출된 광의 다른 일부는 상기 코어 영역 내로 진압하여, 상기 쉘부의 내벽에 의해 반사되는 것을 포함하는 발광 소자
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제9 항에 있어서, 상기 코어 영역은 공기와 동일한 굴절률을 갖는 것을 포함하는 발광 소자
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