맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

그래핀을 포함하는 나노와이어 구조체를 기반으로 하는 광전도 소자 및 그 제조 방법(Photoconductive device based on a nanowire structure comprising a graphene)

  • 기술번호 : KST2016007297
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 광전도 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 그래핀 층; 상기 그래핀 층 상에서 성장된 나노와이어; 및 상기 그래핀 층과 접촉하는 한 쌍의 금속 전극; 을 포함한다.
Int. CL C01B 31/04 (2006.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020140112462 (2014.08.27)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0025332 (2016.03.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.27)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 강산 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0818599-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0045102-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0751096-33
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1276991-05
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1276971-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0378297-43
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0640103-94
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0640104-39
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0846911-80
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1276522-40
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.12.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1276523-96
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0054979-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 그래핀 층;상기 그래핀 층 상에서 성장된 나노와이어; 및상기 그래핀 층과 접촉하는 한 쌍의 금속 전극;을 포함하는 광전도 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 나노와이어는,GaN 나노와이어인 것을 특징으로 하는 광전도 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 한 쌍의 금속 전극은,상기 그래핀 층의 양 측 가장자리에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 광전도 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 전극은,Au, Ni 및 Al 을 포함하는 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 금속 또는 상기 그룹을 이루는 금속들 중 적어도 2이상의 금속을 함유하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전도 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 기판과 그래핀 층 사이에 형성되는 산화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 광전도 소자
6 6
(a) 기판 상에 그래핀 층을 형성하는 단계;(b) 상기 그래핀 층 상에 나노와이어를 성장시키는 단계; 및(c) 상기 그래핀 층과 접촉하는 한 쌍의 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 광전도 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 (a)단계는,(a1) 촉매 층을 이용하여 그래핀 층을 합성하는 단계;(a2) 상기 그래핀 층 상에 PMMA 층을 형성시키는 단계;(a3) 상기 촉매 층을 제거하는 단계; 및(a4) 상기 그래핀 층을 상기 기판 상에 전사시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 (a1)단계는,화학증기증착법(CVD)에 의해 그래핀을 합성하는 단계인 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 (a1)단계는,상기 촉매 층에 메탄 및 수소를 함유하는 가스를 반응시킨 후 이를 냉각시킴으로써 그래핀을 합성하는 단계인 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 (b)단계는,유기금속화학증착법(MOCVD)에 의해 나노와이어를 성장시키는 단계인 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 (b)단계는,(b1) 상기 그래핀 층이 형성된 기판을 MOCVD 반응기 내부에 장입하는 단계;(b2) 장입된 기판의 그래핀 층 상에 수소 가스의 공급과 함께 열처리를 수행하는 단계; 및(b3) 제1 온도에서 갈륨의 전구체 가스 및 질소의 전구체 가스를 공급하면서 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 갈륨의 전구체 가스는 트리메틸갈륨(TMG)이고,상기 질소의 전구체 가스는 암노니아인 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
13 13
제6항에 있어서,상기 (c)단계는,상기 그래핀 층의 양 측 가장자리에 금속 물질을 증착시킨 후 열처리 하여 금속 전극을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 금속 물질은,Au, Ni 및 Al 을 포함하는 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 금속 또는 상기 그룹을 이루는 금속들 중 적어도 2이상의 금속을 함유하는 합금인 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 전북대학교 BK21플러스사업(0.5) 나노전자정보재료사업팀