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기판의 제 1 면 상에 나노 구조체를 도포하는 것; 및상기 나노 구조체를 식각 마스크로 사용하여 상기 나노 구조체에 노출된 상기 기판을 식각하여 상기 기판의 상기 제 1 면이 리세스되어 상기 기판의 상기 제 1 면으로부터 돌출된 제 1 격벽들을 형성하는 것을 포함하는 광산란층의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 격벽들 각각은 무작위(random)하게 배치되어 서로 교차되게 형성되는 광산란층의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 기판의 상기 제 1 면 상에 교차된 서로 다른 격벽들에 의해 공간이 형성되되,상기 공간의 바닥부는 상기 기판의 일면으로 구성되고, 상기 공간의 측벽부들은 서로 다른 상기 격벽들로 구성된 광산란층의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체를 도포하는 것은:상기 나노 구조체가 분산된 용액을 상기 기판의 상기 제 1 면 상에 도포하는 것; 및상기 용액을 제거하는 것을 포함하는 광산란층의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면을 포함하되,상기 제 1 격벽들을 형성한 후에:상기 제 2 면 상에 상기 나노 구조체를 배치하는 것; 및상기 나노 구조체를 식각 마스크로 사용하여 상기 나노 구조체에 노출된 상기 기판을 식각하여 상기 기판의 상기 제 2 면이 리세스되어 상기 기판의 상기 제 2 면으로부터 돌출된 제 2 격벽들을 형성하는 것을 더 포함하는 광 산란층의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 격벽들을 형성한 후에, 상기 나노 구조체를 제거하는 것을 더 포함하는 광산란층의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체는 나노선 또는 나노 섬유인 광산란층의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체는 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함하는 광산란층의 제조 방법
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기판 상에 나노 구조체를 도포하는 것;상기 기판에 열을 가하여, 상기 나노 구조체를 용융시켜 나노액적을 형성하는 것; 및상기 나노액적을 식각 마스크로 사용하여, 상기 나노 구조체에 노출된 상기 기판을 식각하여 상기 기판의 상부면이 리세스되어 상기 기판의 상부면으로부터 돌출된 돌출부들을 형성하는 것을 포함하는 광산란층의 제조 방법
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10
광산란층;상기 광산란층 상에 배치된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 전달층;상기 정공 전달층 상에 배치된 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 배치된 전자 전달층; 및상기 전자 전달층 상에 배치된 제 2 전극을 포함하되,상기 광산란층은 상기 광산란층의 일면으로부터 돌출된 격벽들을 포함하는 유기발광소자
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제 10 항에 있어서,상기 격벽들은 무작위(random)하게 배치되어, 상기 격벽들 각각은 서로 교차되는 유기발광소자
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제 11 항에 있어서,상기 광산란층은 인접하게 배치되어 상기 격벽들이 서로 교차되어 형성된 공간을 포함하되,상기 공간의 바닥부는 상기 광산란층의 상기 일면으로 구성되고, 상기 공간의 측벽부들은 서로 다른 상기 격벽들로 구성되는 유기발광소자
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제 10 항에 있어서,상기 격벽들은 100nm 내지 2000nm의 폭을 갖는 유기발광소자
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