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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 게이트 드라이버 보호 장치에 있어서,드레인에 하이레벨 공급전압이 인가되고 소오스가 IGBT의 게이트에 연결된 제1 트랜지스터;드레인이 상기 제1 트랜지스터의 소오스 및 상기 IGBT의 게이트에 공통 연결되고 소오스에 로우레벨 공급전압이 인가되는 제2 트랜지스터;상기 IGBT의 게이트에 인가되는 출력전압을 피드백받아 미리 설정된 하이레벨 기준전압 및 로우레벨 기준전압과 비교하는 출력 전압 비교부; 및상기 출력 전압 비교부에 의한 비교 결과, 상기 출력전압이 상기 하이레벨 기준전압보다 작아지거나 상기 로우레벨 기준전압보다 커지는 경우 상기 IGBT로 공급되는 전류를 차단하여 상기 IGBT와 상기 제1 및 제2 트랜지스터로의 과전류 유입을 차단하는 과전류 차단 스위치부를 포함하는, IGBT 게이트 드라이버 보호 장치
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제1항에 있어서,상기 출력 전압 비교부는상기 출력전압이 상기 하이레벨 기준전압보다 작아지면 하이(high) 신호를 출력하고 상기 출력전압이 상기 하이레벨 기준전압 이상이면 로우(low) 신호를 출력하는 제1 비교기;상기 출력전압이 상기 로우레벨 기준전압보다 커지면 하이 신호를 출력하고 상기 출력전압이 상기 로우레벨 기준전압 이하이면 로우 신호를 출력하는 제2 비교기;제1 NOT 게이트에 의해 반전된 입력신호와 상기 제1 비교기의 출력신호를 입력받는 제1 AND 게이트;상기 입력신호와 상기 제2 비교기의 출력신호를 입력받는 제2 AND 게이트; 및상기 제1 및 제2 AND 게이트의 출력신호를 입력받는 XOR 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는, IGBT 게이트 드라이버 보호 장치
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제2항에 있어서,상기 과전류 차단 스위치부는상기 XOR 게이트의 출력신호를 반전시키는 제2 NOT 게이트;상기 제2 NOT 게이트의 출력신호를 게이트로 입력받고 소오스가 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 제1 리셋 트랜지스터;상기 XOR 게이트의 출력신호를 게이트로 입력받고 드레인이 상기 제2 트랜지스터의 게이트에 연결된 제2 리셋 트랜지스터;상기 입력신호가 입력되는 입력단자와 상기 제1 리셋 트랜지스터의 소오스사이에 설치되어 있으며 상기 XOR 게이트가 로우 신호를 출력하는 경우 온되고 상기 XOR 게이트가 하이 신호를 출력하는 경우 오프되는 제1 리셋 스위치; 및상기 입력신호가 입력되는 입력단자와 상기 제2 리셋 트랜지스터의 드레인사이에 설치되어 있으며 상기 XOR 게이트가 로우 신호를 출력하는 경우 온되고 상기 XOR 게이트가 하이 신호를 출력하는 경우 오프되는 제2 리셋 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는, IGBT 게이트 드라이버 보호 장치
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제1항에 있어서,상기 하이레벨 기준전압과 상기 로우레벨 기준전압은 사용자에 의해 조절이 가능한 것을 특징으로 하는, IGBT 게이트 드라이버 보호 장치
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제3항에 있어서,상기 제1 및 제2 비교기는 히스테리시스(hysteresis) 특성을 갖는 것을 특징으로 하는, IGBT 게이트 드라이버 보호 장치
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