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기판;상기 기판 상에 사각형 형상을 갖는 헤어핀 공진기의 구조와 그 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터의 구조를 결합하여 형성되는 제1 공진 패턴부; 및상기 제1 공진 패턴부를 구성하는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 사이에 형성되는 공간 내에 배치되는 미엔더 라인 구조의 제2 공진 패턴부;를 포함하되, 상기 제1 공진 패턴부는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 조절하여 공진 주파수가 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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제1 항에 있어서,상기 제1 공진 패턴부는,상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 줄이게 되면 상기 공진 주파수의 값은 낮아지게 되고상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 높이게 되면 상기 공진 주파수는 높이지게 되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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제1 항에 있어서,상기 공진 주파수는,공진기의 등가 회로에서 인덕턴스 L0와 커패시턴스 C0에 의해 결정되되, 여기서, 상기 인덕턴스 L0는 상기 헤어핀 공진기의 전체 길이에 상응하는 인덕턴스를 나타내고, 상기 커패시턴스 C0는 상기 인터디지털 커패시터에 상응하는 전체 커패시턴스를 나타내는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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제1 항에 있어서,상기 제2 공진 패턴부는,폭에 따라 대역 차단 특성이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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제1 항에 있어서,상기 제1 공진 패턴부는상기 제1 공진 패턴부 내 상기 헤어핀 공진기의 수평 방향의 폭과 수직 방향의 폭에 따라 Q 값이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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기판;상기 기판 상에 사각형 형상을 갖는 헤어핀 공진기의 구조와 그 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터의 구조를 결합하여 형성되는 제1 공진 패턴부;상기 제1 공진 패턴부를 구성하는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 사이에 형성되는 공간 내에 배치되는 미엔더 라인 구조의 제2 공진 패턴부; 및상기 기판에 이격되어 신호 및 전력을 전송하는 전력 라인;을 포함하되, 상기 제1 공진 패턴부는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 조절하여 공진 주파수가 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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제7 항에 있어서,상기 제1 공진 패턴부는,상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 줄이게 되면 상기 공진 주파수의 값은 낮아지게 되고상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 높이게 되면 상기 공진 주파수는 높이지게 되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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제7 항에 있어서,상기 공진 주파수는,공진기의 등가 회로에서 인덕턴스 L0와 커패시턴스 C0에 의해 결정되되, 여기서, 상기 인덕턴스 L0는 상기 헤어핀 공진기의 전체 길이에 상응하는 인덕턴스를 나타내고, 상기 커패시턴스 C0는 상기 인터디지털 커패시터에 상응하는 전체 커패시턴스를 나타내는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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제7 항에 있어서,상기 제2 공진 패턴부는,폭에 따라 대역 차단 특성이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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제7 항에 있어서,상기 제1 공진 패턴부는상기 제1 공진 패턴부 내 상기 헤어핀 공진기의 수평 방향의 폭과 수직 방향의 폭에 따라 Q 값이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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제7 항에 있어서,상기 기판과 상기 전송 라인 사이의 거리에 따라 공진기의 Q와 삽입 손실이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기
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