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디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템 및 방사선 내성평가 방법(Methods and appratus for soft error immunity test in digital integrated circuits)

  • 기술번호 : KST2016007483
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템에 관한 것으로 복수의 논리회로와 상기 복수의 논리회로에 대응하여 배치된 복수의 스캔 플립플롭을 포함하는 검사 대상회로; 소정 시간 방사선을 발생시켜 상기 검사 대상회로에 조사하는 방사선 발생기; 상기 검사 대상회로 및 상기 방사선 발생기와 연결되어, 상기 검사 대상회로에 방사선을 조사하는 제어신호를 생성하여 상기 방사선 발생기로 전달하고, 상기 검사 대상회로의 입출력을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
Int. CL G01R 31/3181 (2016.08.03) G01R 31/3185 (2016.08.03) G01R 31/308 (2016.08.03) G01R 31/26 (2015.10.07)
CPC G01R 31/31816(2013.01) G01R 31/31816(2013.01) G01R 31/31816(2013.01) G01R 31/31816(2013.01)
출원번호/일자 1020150118985 (2015.08.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1697213-0000 (2017.01.11)
공개번호/일자 10-2016-0027912 (2016.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20170117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140116160   |   2014.09.02
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.24)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종태 대한민국 경기도 군포시 산본로***번길 **, **
2 박종강 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 김명하 대한민국 경기도 평택시 중앙로 ***,
4 안준길 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0819778-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0089829-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0526887-54
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0760123-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0760116-68
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0812969-86
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.12.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1216619-85
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-1216639-98
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0017196-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 논리회로와 상기 복수의 논리회로에 대응하여 배치된 복수의 스캔 플립플롭을 포함하는 검사 대상회로;소정 시간 방사선을 발생시켜 상기 검사 대상회로에 조사하는 방사선 발생기; 및 상기 검사 대상회로 및 상기 방사선 발생기와 연결되어, 상기 검사 대상회로에 방사선을 조사하는 제어신호를 생성하여 상기 방사선 발생기로 전달하고, 상기 검사 대상회로의 입출력을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 검사 대상회로의 입출력을 제어하여, 상기 검사 대상회로의 각 스캔 플립플롭의 임계 전하량에 의해 결정되는 정적 소프트 에러율 -상기 정적 소프트 에러율은 전체 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율 또는 각 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율을 포함함-, 상기 스캔 플립플롭의 동적 동작에 의해 결정되는 전체 스캔 플립플롭의 동적 소프트 에러율, 상기 논리회로의 논리적 전달 특성에 대한 전기적 소프트 에러 발생 및 전달 특성에 의해 결정되는 논리회로의 소프트 에러율 중 적어도 하나를 계산하고, 상기 동적 소프트 에러율은 상기 복수의 스캔 플립플롭으로 구성된 스캔 체인의 입출력이 궤환루프 (feedback loop) 를 형성하여 상기 스캔 체인의 마지막 스캔 플립플롭의 출력이 상기 스캔 체인의 제1 스캔 플립플롭의 입력이 되도록 하여 결정되는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
2 2
제1항에 있어서, 상기 스캔 플립플롭은 멀티플렉서와 D형 플립플롭이 구비된 다중화된 스캔 플립플롭인 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제어부는상기 검사 대상회로에 스캔 시프트 모드 동작 신호와 테스트용 입력 비트를 전달하여, 상기 복수의 스캔 플립플롭을 스캔 시프트 모드로 동작시켜 상기 복수의 스캔 플립플롭에 상기 테스트용 입력 비트를 저장시키고,이후, 제1 방사선 발생신호를 상기 방사선 발생기로 전달하여 방사선을 상기 검사 대상회로에 제1 시간 동안 조사시키고,상기 제1 시간 이후에, 상기 검사 대상회로에 스캔 시프트 모드 동작 신호를 전달하여 상기 복수의 스캔 플립플롭을 스캔 시프트 모드로 동작시켜, 상기 복수의 스캔 플립플롭에 저장된 제1 출력 비트를 전달받는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
5 5
제4항에 있어서, 상기 제어부는상기 테스트용 입력 비트와 상기 제1 출력 비트를 기반으로 상기 전체 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율 또는 각 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율을 계산하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
6 6
제5항에 있어서, 상기 제어부는 하기의 식SERstatic_ff=에러가 감지된 스캔 플립플롭의 전체 개수/(방사선 조사 시간(초)*방사선 선속)*(방사선 조사시간*전체 스캔 플립플롭의 개수)에 의해 상기 전체 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율을 계산하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
7 7
제1항에 있어서, 상기 제어부는 궤환루프 생성 신호와 테스트용 입력 비트를 생성하여 상기 검사 대상회로에 전달하여, 상기 복수의 스캔 플립플롭으로 구성된 스캔 체인의 입출력이 궤환루프가 되도록 구성하고,제2 방사선 발생신호를 생성하여 상기 방사선 발생기에 전달하여, 상기 검사 대상회로에 제2 시간 동안 방사선을 조사하고,상기 검사 대상회로에 스캔 시프트 모드 동작 신호를 전달하여, 상기 검사 대상회로가 상기 방사선이 조사되는 제2 시간 동안 스캔 시프트 모드로 상기 입출력이 궤환루프인 스캔 체인을 동작시키고,상기 제2 시간 경과 후 궤환루프 제거 신호를 생성하여 상기 검사 대상회로에 전달하여 상기 궤환루프를 끊고, 상기 복수의 스캔 플립플롭을 스캔 시프트 모드로 동작시켜, 상기 복수의 스캔 플립플롭에 저장된 제2 출력 비트- 상기 제2 출력 비트는 상기 방사선 조사 후의 상기 각각의 스캔 플립플롭에 저장된 출력 비트임-를 전달받는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
8 8
제7항에 있어서, 상기 제어부는상기 테스트용 입력 비트와 상기 제2 출력 비트를 기반으로 상기 스캔 플립플롭의 동적 소프트 에러율을 계산하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
9 9
제8항에 있어서, 상기 제어부는 하기의 식SERdynamic_ff=에러가 감지된 스캔 플립플롭의 전체 개수/(방사선 조사 시간(초)*방사선 선속)*(방사선 조사시간*전체 스캔 플립플롭의 개수)에 의해 상기 스캔 플립플롭의 동적 소프트 에러율을 계산하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
10 10
제1항에 있어서, 상기 제어부는상기 검사 대상회로에 스캔 시프트 모드 동작 신호와 테스트용 입력 비트를 전달하여, 상기 복수의 스캔 플립플롭을 스캔 시프트 모드로 동작시켜 각각의 스캔 플립플롭에 상기 테스트용 입력 비트를 저장시키고,이후, 제3 방사선 발생신호를 상기 방사선 발생기로 전달하여 방사선을 상기 검사 대상회로에 제3 시간 동안 조사하고,1 클럭(clock) 신호와 캡처모드 동작 신호를 생성하여 상기 검사 대상회로에 전달하여, 상기 방사선이 조사되는 제3 시간 동안 상기 복수의 스캔 플립플롭을 캡쳐 모드로 전환시켜, 상기 논리회로의 출력 비트를 상기 복수의 스캔 플립플롭에 저장하고상기 제3 시간 이후에, 상기 검사 대상회로에 스캔 시프트 모드 동작 신호를 전달하여 상기 복수의 스캔 플립플롭을 스캔 시프트 모드로 동작시켜, 제3 출력 비트 -상기 제3 출력 비트는 상기 1 클럭 동안에 상기 각각의 스캔 플립플롭에 저장된 상기 논리회로의 출력 비트임-를 전달받는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
11 11
제10항에 있어서, 상기 제어부는상기 테스트용 입력 비트와 상기 제3 출력 비트를 기반으로 상기 1 클럭 동안의 상기 논리회로의 소프트 에러율을 계산하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
12 12
제10항에 있어서, 상기 제어부는 하기의 식SER1time_comb=에러가 발생된 스캔 플립플롭의 수/(1클럭 시간(초)*방사선의 선속)*(방사선 조사시간*전체 스캔 플립플롭의 개수)에 의해 상기 1 클럭 동안의 상기 논리회로의 소프트 에러율을 계산하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성평가 시스템
13 13
복수의 논리회로와 상기 복수의 논리회로에 대응하여 배치된 복수의 스캔 플립플롭을 포함하는 검사 대상회로의 소프트 에러율을 구하는 단계에 있어서, 상기 소프트 에러율을 구하는 단계는 상기 검사 대상회로의 스캔 플립플롭의 임계 전하량에 의해 결정되는 상기 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율을 구하는 단계;상기 정적 소프트 에러율을 구하는 단계 이후에, 상기 복수의 스캔 플립플롭으로 구성된 스캔 체인의 입출력이 궤환루프 (feedback loop) 를 형성하도록 하여 상기 스캔 체인의 마지막 스캔 플립플롭의 출력이 상기 스캔 체인의 제1 스캔 플립플롭의 입력이 되도록 하여 상기 스캔 플립플롭의 동적 동작에 의해 결정되는 상기 스캔 플립플롭의 동적 소프트 에러율을 구하는 단계;상기 동적 소프트 에러율을 구하는 단계 이후에, 상기 논리회로의 논리적 전달 특성에 대한 전기적 소프트 에러 발생 및 전달 특성에 의해 결정되는 논리회로의 소프트 에러율을 구하는 단계를 포함하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율을 구하는 단계는 (a-1) 상기 복수의 스캔 플립플롭에 테스트용 비트를 저장하는 단계;(a-2) 제1 시간 동안 상기 검사 대상회로에 방사선을 조사하는 단계; 및 (a-3) 상기 제1 시간 이후에 복수의 스캔 플립플롭에 저장된 제1 출력 비트를 제공받는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
15 15
제14항에 있어서, (a-4) 상기 제1 출력 비트와 상기 테스트용 비트를 기반으로 상기 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율을 계산하는 단계를 더 포함하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율은 하기의 식SERstatic_ff=에러가 감지된 스캔 플립플롭의 전체 개수/(방사선 조사 시간(초)*방사선 선속)*(방사선 조사시간*전체 스캔 플립플롭의 개수)에 의하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 스캔 플립플롭의 동적 소프트 에러율을 구하는 단계는 (b-1) 상기 복수의 스캔 플립플롭으로 구성된 스캔 체인의 입출력이 궤환루프-상기 궤환루프는 제1 스캔 플립플롭에 테스트용 비트가 입력되고, N-1 스캔 플립플롭의 출력이 N 번째 스캔 플립플롭의 입력이 되고, 마지막 스캔 플립플롭의 출력이 상기 제1 스캔 플립플롭의 입력이 되도록 스캔 체인을 구성하는 단계;(b-2) 제2시간 동안 상기 검사 대상회로에 방사선을 조사하고, 상기 방사선이 조사되는 제2 시간 동안 상기 스캔 체인을 동작시키는 단계;(b-3) 상기 제2 시간 경과 후, 상기 궤환루프를 끊고, 상기 복수의 스캔 플립플롭에 저장된 제2 출력 비트를 제공받는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 스캔 플립플롭의 동적 소프트 에러율을 구하는 단계는,(b-4) 상기 제2 출력 비트와 상기 테스트용 비트를 기반으로 상기 스캔 플립플롭의 동적 소프트 에러율을 계산하는 단계를 더 포함하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 스캔 플립플롭의 동적 소프트 에러율은 하기의 식SERdynamic_ff=에러가 감지된 스캔 플립플롭의 전체 개수/(방사선 조사 시간(초)*방사선 선속)*(방사선 조사시간*전체 스캔 플립플롭의 개수)에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
20 20
제13항에 있어서, 상기 논리회로의 소프트 에러율을 구하는 단계는 (c-1) 상기 복수의 스캔 플립플롭에 테스트용 입력 비트를 저장하는 단계;(c-2) 제3 시간 동안 상기 검사 대상회로에 방사선을 조사하고, 상기 방사선이 조사되는 제3 시간 동안 논리회로의 출력을 상기 복수의 스캔 플립플롭에 저장하는 단계;(c-3) 상기 제3 시간 이후에 복수의 스캔 플립플롭에 저장된 제3 출력 비트-상기 제3 출력 비트는 1 클럭 동안에 상기 복수의 스캔 플립플롭에 저장된 상기 논리회로의 출력 비트임-를 제공받는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 테스트용 입력 비트와 상기 제3 출력 비트를 기반으로 상기 1 클럭 동안의 상기 논리회로의 소프트 에러율을 계산하는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 1 클럭 동안의 상기 논리회로의 소프트 에러율은 하기의 식SER1time_comb=에러가 발생된 스캔 플립플롭의 수/(1클럭 시간(초)*방사선의 선속)*(방사선 조사시간*전체 스캔 플립플롭의 개수)에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 논리회로의 소프트 에러율은상기 1 클럭 동안의 상기 논리회로의 소프트 에러율과 상기 전체 스캔 플립플롭의 정적 소프트 에러율의 차인 것을 특징으로 하는 디지털 회로의 방사선 내성 평가 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 일반연구자지원사업 고속 VLSI 설계를 위한 Multi-SET 분석 및 완화 기법에 관한 연구