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모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법, 이를 통해 제조되는 음극 및 음극을 포함하는 에너지 저장소자(Prepatation of materials for energy storage devices using monolithic 3 dimensional of reduced graphene oxide and fabrication method thereby)

  • 기술번호 : KST2016007493
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 모놀리스 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법, 이를 통해 제조되는 음극 및 음극을 포함하는 에너지 저장소자에 있어서, 산화그래핀 환원물 페이스트 및 수용성폴리머를 혼합하여 복합 페이스트를 제조하는 단계와; 상기 복합 페이스트를 집전체에 도포하는 단계와; 상기 집전체를 동결건조하여 모놀리스 산화그래핀 환원물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 산화그래핀 환원물 및 수용성폴리머의 복합 페이스트를 동결건조시켜 고전도성 모놀리스 삼차원 구조를 형성함으로써 산화그래핀 환원물의 일정하게 배열된 활동영역(Active site)을 증가시키고 안정적 구조 형성을 통한 고수명 사이클 구현 및 고용량, 고출력 특성을 지닌 에너지 저장소자의 전극 효과를 제공한다.
Int. CL H01M 4/1393 (2010.01) H01M 4/587 (2010.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC H01M 4/1393(2013.01) H01M 4/1393(2013.01) H01M 4/1393(2013.01) H01M 4/1393(2013.01) H01M 4/1393(2013.01) H01M 4/1393(2013.01) H01M 4/1393(2013.01)
출원번호/일자 1020140116302 (2014.09.02)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1643935-0000 (2016.07.25)
공개번호/일자 10-2016-0027768 (2016.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20160729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160046160;
심사청구여부/일자 Y (2014.09.02)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정승열 대한민국 경상남도 김해시
2 이건웅 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 백강준 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 양선혜 대한민국 경상남도 김해시
5 정희진 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 한중탁 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 정수연 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0839484-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0015219-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0642465-54
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1020151-99
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0232898-94
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.04.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0360555-16
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0361737-08
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0331317-34
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법에 있어서,산화그래핀 환원물 페이스트 및 수용성폴리머를 혼합하여 복합 페이스트를 제조하는 단계와;상기 복합 페이스트를 집전체에 도포하는 단계와;상기 집전체를 동결건조하여 모놀리스 산화그래핀 환원물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 산화그래핀 환원물 페이스트는,분말상태의 그래파이트 플레이크로부터 분말상태의 산화그래파이트 플레이크를 합성하는 단계와;상기 산화그래파이트 플레이크를 용매 내에 분산시켜 산화그래핀 분산용액을 형성하는 단계와;상기 산화그래핀 분산용액을 양이온-파이 상호작용을 통해 양이온반응 산화그래핀 분산용액을 제조하는 단계와;상기 양이온반응 산화그래핀 분산용액을 환원제를 이용하여 환원시키는 단계를 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 산화그래파이트 플레이크는 상기 그래파이트 플레이크를 산처리를 통해 합성되는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 산처리는 상기 그래파이트 플레이크에 농질산(Fuming nitric acid) 또는 황산(Sulfuric acid)을 사용하여 처리하는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
5 5
제 2항에 있어서,상기 환원제는,수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화암모늄(NH4OH), 수산화붕소나트륨(NaBH4), 히드라진(N2H4), 하이드로아이오닉산(Hydroionic acid), 아스코빅산(Ascovic acid)으로 이루어진 군 및 이의 혼합물 군에서 선택된 1종인 것이 바람직하다
6 6
제 1항에 있어서,상기 복합 페이스트를 제조하는 단계는,상기 수용성폴리머 100중량부에 대해 상기 산화그래핀 환원물 페이스트를 50 내지 200중량부를 혼합하는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,복합 페이스트를 제조하는 단계는,교반(Stirring), 혼합(Thinky mixer), 3롤분쇄(3Roll milling), 볼분쇄(Ball milling) 중 적어도 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,복합 페이스트를 제조하는 단계는,접착제를 첨가하는 단계를 더 포함하며, 상기 접착제는,폴리불화비닐리덴(Polyvinylidene fluoride), 폴리염화비닐리덴(Polyvinylidene chloride), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 카르복시메틸셀룰로오즈(Carboxymethyl cellulose), 히드록시프로필셀룰로오즈(Hydroxypropylcellulose), 폴리비닐피롤리돈(Polyvinyl pyrrolidone), 폴리비닐피롤리돈폴리비돈(Polyvinylpyrrolidonepolyvidone), 테트라플루오로에틸렌(Tetrafluoroethylene), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리프로필렌(Polypropylene)으로 이루어진 군 및 이의 혼합물 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 수용성폴리머는,폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol), 폴리에틸렌이민(Polyethyleneimine), 폴리아마이드아민(Polyamideamine), 폴리비닐포름아미드(Polyvinyl formamide), 폴리비닐아세테이트(Polyvinyl acetate), 폴리아크릴아마이드(Polyacrylamide), 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone), 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드, 폴리에틸렌옥사이드(Polyethyleneoxide), 폴리아크릴산(Polyacrylic acid), 폴리스티렌설폰산(Polystyrenesulfonic acid), 폴리규산(Polysilicic acid), 폴리인산(Polyphosphoric acid), 폴리에틸렌설폰산(Polyethylenesulfonic acid), 폴리-3-비닐록시프로펜-1-설폰산(Poly-3-vinyloxypropane-1-sulfonic acid), 폴리-4-비닐페놀(Poly-4-vinylphenol), 폴리-4-비닐페닐설폰산(Poly-4-vinylphenyl sulfuric acid), 폴리에틸렌포스포릭산(Polyethyleneohosphoric acid), 폴리말릭산(Polymaleic acid), 폴리-4-비닐벤조산(Poly-4-vinylbenzoic acid), 메틸셀룰로오스(Methyl cellulose), 하이드록시에틸셀룰로오스(Hydroxy ethyl cellulose), 카복시메틸셀룰로오스(Carboxy methyl cellulose), 소듐카복시메틸셀룰로오스(Sodium carboxy methyl cellulose), 하이드록시프로필셀룰로오스(Hydroxy propyl cellulose), 소듐카복시메틸셀룰로오스(Sodium carboxymethylcellulose), 폴리사카라이드(Polysaccharide), 전분(Starch)으로 이루어진 군 및 이의 혼합물 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 복합 페이스트를 집전체에 도포하는 단계는,템플레이트(Template), 패터닝(Patterning), 압출(Extruding), 블라스팅(Blasting), 스프레드(Spread) 중 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 집전체는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 철(Fe), 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군 및 이의 혼합물 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
12 12
제 1항에 있어서,상기 동결건조하여 모놀리스 산화그래핀 환원물을 형성하는 단계는,액화질소를 이용하여 -100 내지 -270℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
13 13
제 1항에 있어서,상기 동결건조하여 모놀리스 산화그래핀 환원물을 형성하는 단계 이후에,상기 모놀리스 산화그래핀 환원물을 압착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 압착하는 단계는,가압(Pressurization), 압연(Rolling), 압출(Extrusion) 중 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
15 15
제 1항에 있어서,상기 집전체는 1㎛ 내지 1cm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법
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1 KR102152149 KR 대한민국 FAMILY

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