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절연 또는 반절연 ＳｉＣ 기판에 구현된 ＳｉＣ 반도체 소자 및 그 제조 방법(Implementation of SiC Semiconductor Devices On SiC Insulation or Semi-insulation Substrate And Manufacturing Methods of The Same)

  • 기술번호 : KST2016007495
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 내압 특성을 갖는 SiC 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 SiC 반도체 소자는, 절연 또는 반절연성 SiC 기판; 상기 SiC 기판 내부에 형성된 복수의 반도체 영역들; 및 상기 SiC 기판 상에 형성되며, 상기 복수의 도핑 영역들을 전기적으로 연결하기 위한 전극들을 포함한다. 본 발명에 따른 SiC 소자는 절연 또는 반절연SiC 기판에 고농도의 반도체 영역을 형성함으로써. 높은 내압 특성을 나타내고, 이온 주입 공정을 통해 구현될 수 있다.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140113006 (2014.08.28)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0027290 (2016.03.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.28)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형우 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 문정현 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 방욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 김남균 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0821598-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0211349-22
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0037822-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0587060-42
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1045288-64
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1167335-40
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1274250-45
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-1291822-05
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1291817-76
12 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0000688-36
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0380817-99
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.06.22 수리 (Accepted) 7-1-2016-0038245-43
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.07.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0713759-14
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0713758-68
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0608970-47
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.24 1-1-2016-1033749-19
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1033751-12
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1033752-57
21 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1033748-74
22 보정의취하간주안내문
 2016.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0155931-10
23 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0228281-29
24 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2017.06.13 수리 (Accepted) 7-8-2017-0014084-80
25 등록결정서
Decision to grant		 2019.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0059150-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기저항이 105 Ω-cm 이상인 절연 또는 반절연성을 갖는 단일의 단결정 SiC 기판;상기 단결정 SiC 기판 내부에 형성된 복수의 반도체 영역들과 저항영역; 및상기 단결정 SiC 기판 상에 형성되며, 상기 복수의 반도체 영역들을 전기적으로 연결하기 위한 전극들을 포함하고, 상기 복수의 반도체 영역들은 소오스 영역, 베이스 영역, 전류 통로 영역 및 드레인 영역을 포함하며,상기 소오스 영역의 도펀트농도는 1018~1021/cm3 이고,상기 베이스 영역의 도펀트 농도는 1016 ~ 1018/cm3 이며,상기 전류 통로 영역의 도펀트 농도는 1015/cm3 ~ 1017/cm3이며, 상기 저항영역은 전기저항이 105 Ω-cm 이상인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 단결정 SiC 기판은 전기 저항이 105~107Ω-cm인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 복수의 반도체 영역들은 SiC 기판 표면에 대하여 실질적으로 평행하게 배열된 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 베이스 영역은 상기 소오스 영역과 상기 전류 통로 영역 사이에서 상기 소오스 영역 하단으로 연장되어 상기 소오스 영역과 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 전류 통로 영역의 접합 깊이는 상기 소오스 영역의 접합 깊이와 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
8 8
제6항에 있어서,상기 전류 통로 영역의 접합 깊이는 상기 베이스 영역의 접합 깊이보다 작은 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 소오스 영역의 일측에는 상기 소오스 영역과는 상이한 도전형의 도펀트로 도핑되며, 상기 베이스 영역보다 높은 농도를 갖는 도핑 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제1항에 있어서, 상기 베이스 영역 상에는 산화막과 상기 산화막 상에 형성되는 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
14 14
삭제
15 15
제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 MOSFET 또는 CMOS인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
16 16
삭제
17 17
제1항에 있어서, 상기 전류 통로 영역은 상기 저항 영역과 접합면을 형성하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
18 18
삭제
19 19
전기저항이 105 Ω-cm 이상인 절연 또는 반절연성을 갖는 단일의 단결정 SiC 기판을 제공하는 단계;상기 단결정 SiC 기판 내부에 도펀트를 주입하여 복수의 반도체 영역들과 저항영역을 형성하는 단계; 및상기 단결정 SiC 기판 상에, 상기 복수의 반도체 영역들을 전기적으로 연결하기 위한 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 복수의 반도체 영역들은 소오스 영역, 베이스 영역, 전류 통로 영역 및 드레인 영역을 포함하며,상기 소오스 영역의 도펀트농도는 1018~1021/cm3 이고,상기 베이스 영역의 도펀트 농도는 1016 ~ 1018/cm3 이며,상기 전류 통로 영역의 도펀트 농도는 1015/cm3 ~ 1017/cm3이며, 상기 저항영역은 전기저항이 105 Ω-cm 이상인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서,상기 복수의 반도체 영역들을 형성하는 단계는,제2 도전형의 도펀트를 이온 주입하여 베이스 영역을 형성하는 단계;제1 도전형의 도펀트를 이온 주입하여 전류 통로 영역을 형성하는 단계;상기 베이스 영역 내에 제1 도전형의 도펀트를 주입하여 소오스 영역을 형성하는 단계; 및제1 도전형의 도펀트를 주입하여 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
21 21
제20항에 있어서,상기 소오스 영역과 드레인 영역은 하나의 이온 주입 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
22 22
제20항에 있어서,상기 전류 통로 영역의 이온 주입 깊이는 100~300 nm인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
23 23
제20항에 있어서, 상기 베이스 영역의 이온 주입 깊이는 200~1000 nm인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
24 24
제20항에 있어서,상기 소오스 영역의 이온 주입 깊이는 100~300 nm인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
25 25
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26 26
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27 27
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1 WO2016032069 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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