| 1 |
1
기재 상에 형성된 PEDOT:PSS 박막을 준비하는 단계;황산 또는 황산유도체를 75 내지 100 부피%로 함유하는 용액으로 상기 박막을 처리하는 단계; 및상기 용액으로부터 상기 박막을 분리하여 세척하는 단계를 포함하는, PEDOT:PSS 기반 전극의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 박막을 분리하여 세척하는 단계 이후에 상기 세척된 박막을 60 내지 160℃의 온도에서 건조하는 단계를 더 포함하는, PEDOT:PSS 기반 전극의 제조방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 용액에 상기 박막을 처리하는 시간은 1 분 이상인 것인, PEDOT:PSS 기반 전극의 제조방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,상기 박막을 분리하여 세척하는 단계는 상기 PEDOT:PSS 박막의 표면에 부착된 황산 또는 황산유도체를 제거하거나 상기 PEDOT:PSS로부터 탈리된 PSS를 제거하기 위한 것인, PEDOT:PSS 기반 전극의 제조방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 박막을 분리하여 세척하는 단계는 물을 사용하여 수행되는 것인, PEDOT:PSS 기반 전극의 제조방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 용액으로 상기 박막을 처리하는 것은 상기 황산 또는 황산유도체를 75 내지 100 부피%로 함유하는 용액에 상기 박막을 침지하는 것인, PEDOT:PSS 기반 전극의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 황산 또는 황산유도체는 메탄술폰산(Methansulfonic acid), 트리플루오르메탄술폰산(Trifluoromethansulfonic acid), 황산(술폰산; Sulfuric acid), 과염소산(Perchloric acid), 벤젠술폰산(Benzenesulfonic acid), 파라톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid), 4-에틸벤젠술폰산(4-Ethylbenzenesulfonic acid), 4-술폰프탈산(4-Sulfophthalic acid), 파라크실렌-2-술폰산수화물(p-Xylene-2-sulfonic acid hydrate), 5-아미노-1-나프탈렌술폰산(5-Amino-1-naphthalenesulfonic acid), 8-아미노-2-나프탈렌술폰산(8-Amino-2-naphthalenesulfonic acid), 4-아미노-2-나프탈렌술폰산(4-amino-2-naphthalenesulfonic acid), 타우린(Taurine), 1,4-부탄디술폰산(1,4-Butanedisulfonic acid), 아황산(Sulfurous acid), 비스트리플루오르메탄술폰이미드(Bis(trifluoromethane)sulfonamide) 및 이들의 2종 이상의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, PEDOT:PSS 기반 전극의 제조방법
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 기재는 유리, 석영, Al2O3 및 SiC로 이루어지는 그룹에서 선택되는 것인, PEDOT:PSS 기반 전극의 제조방법
|
