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압전소자의 제조방법(Method for manufacturing piezoelectric element)

  • 기술번호 : KST2016007988
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압전소자를 구성하는 각 적층소자의 정전용량이 증가시켜 전체 압전소자로부터 발생되는 전력이 향상되도록 하는 압전소자의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 압전소자의 제조방법은, 세라믹을 후막공정으로 세라믹 후막을 제작하는 세라믹 후막 제작단계(S110)와, 상기 세라믹 후막에 전극을 입체로 패터닝하여 상기 세라믹 후막에 전극을 형성하는 전극인쇄단계(S120)와, 전극이 패터닝된 상기 세라믹 후막을 적층하는 세라믹 후막 적층단계(S140)와, 적층된 상기 세라믹 후막을 수직으로 절단하는 절단단계(S150)와, 절단된 단위 후막 소자를 정해진 온도에서 탈지 및 소결시키는 탈지 및 소결단계(S160)와, 소결된 단위 후막 소자의 표면에 외부전극을 만들고 분극하는 외부전극소분단계(S170)와, 외부전극이 형성된 단위 후막 소자를 적층하여 압전소자가 되게 하는 소자 스태킹단계(S180)를 포함한다.
Int. CL H01L 41/02 (2006.01) H01L 41/08 (2006.01) H01L 41/22 (2006.01)
CPC H01L 41/22(2013.01) H01L 41/22(2013.01) H01L 41/22(2013.01)
출원번호/일자 1020140122643 (2014.09.16)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1632052-0000 (2016.06.14)
공개번호/일자 10-2016-0032485 (2016.03.24) 문서열기
공고번호/일자 (20160620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정순종 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김민수 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0875597-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0033924-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0709173-21
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-1229055-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1229070-89
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0315756-99
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0528734-88
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.06.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0528738-60
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0424729-90
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번호 청구항
1 1
세라믹을 후막공정으로 세라믹 후막을 제작하는 세라믹 후막 제작단계와,상기 세라믹 후막에 전극을 입체로 패터닝하여 상기 세라믹 후막에 전극을 형성하는 전극인쇄단계와,전극이 패터닝된 상기 세라믹 후막을 적층하는 세라믹 후막 적층단계와,적층된 상기 세라믹 후막을 수직으로 절단하는 절단단계와,상기 세라믹 후막의 적층체가 절단된 단위 후막 소자를 정해진 온도에서 탈지 및 소결시키는 탈지 및 소결단계와,소결된 상기 단위 후막 소자의 둘레 표면에 외부전극을 만들고 분극하는 외부전극소분단계와,외부전극이 형성된 상기 단위 후막 소자를 적층하여 압전소자가 되게 하는 소자 스태킹단계를 포함하는 압전소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전극인쇄단계에서, 상기 패터닝된 전극은 3차원으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 압전소자 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 패터닝된 전극은, 상기 세라믹 후막의 표면을 따라 형성된 기초전극과, 상기 기초전극으로부터 상기 세라믹 후막의 표면과 수직한 방향으로 돌출된 수직전극으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 압전소자 제조방법
4 4
제2항에 있어서,상기 패터닝된 전극은, 상기 세라믹 후막의 표면을 따라 형성된 기초전극과, 상기 기초전극으로부터 상기 세라믹 후막의 표면과 수직한 방향으로 돌출되고 단면이 삼각형인 보조전극으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 압전소자 제조방법
5 5
제2항에 있어서,상기 패터닝된 전극은, 상기 세라믹 후막의 표면을 따라 형성된 기초전극과, 일정한 간격으로 상기 기초전극으로부터 돌출되는 돌출전극으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 압전소자 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 전극인쇄단계 이후에는,상기 세라믹 후막의 표면에서 상기 패터닝된 전극이 패터닝되지 않은 부분에는 패터닝된 전극과 같은 높이로 세라믹 페이스트가 도포되는 평탄화단계가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 압전소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전극인쇄단계 이후에는,상기 패터닝된 전극이 패터닝된 상기 세라믹 후막을 압전롤러를 통과시켜, 상기 패터닝된 전극이 패터닝된 세라믹 후막의 상부면이 평탄해지도록 하는 평탄화단계가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 압전소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.