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플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자 및 그 제조 방법(Plasmonic device with photonic crystal and Method for manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2016008046
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상단 표면상에 돌출되는 특정 패턴 형태를 갖는 다수의 수광부; 및 상기 다수의 수광부 사이에 걸치며, 상기 반도체 기판의 상단 표면상에 접촉 배치되고, 상면에 플라즈몬 현상을 유도하는 나노 패턴을 갖는 나노 구조물;을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0236(2013.01) H01L 31/0236(2013.01)
출원번호/일자 1020140123436 (2014.09.17)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1673454-0000 (2016.11.01)
공개번호/일자 10-2016-0032845 (2016.03.25) 문서열기
공고번호/일자 (20161107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.17)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석철균 대한민국 서울특별시 관악구
2 윤의준 대한민국 서울특별시 용산구
3 박용조 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김치연 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0880096-44
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0896096-63
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0063387-99
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0546453-87
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0991251-30
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1113526-65
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1234938-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0051414-28
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0051449-15
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0367247-13
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0703149-94
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0703150-30
14 등록결정서
Decision to grant
2016.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0781130-81
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번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판의 상단 표면상에 돌출되는 특정 패턴 형태를 갖는 다수의 수광부; 및상기 다수의 수광부 사이에 걸치며, 상기 반도체 기판의 상단 표면상에 접촉 배치되고, 상면에 플라즈몬 현상을 유도하는 나노 패턴을 갖는 나노 구조물;을 포함하며,상기 나노 구조물은 금속 물질이고, 상기 다수의 수광부는 MAC(Metal-Assited-Chemical) 에칭 방식에 의해 형성되며,상기 MAC 에칭 방식은 에칭을 서서히 하여 상기 다수의 수광부가 형성되도록 하는 느린 에칭(slow etching) 및 에칭을 급속히 진행하여 상기 나노 구조물이 형성되도록 하는 빠른 에칭(fast etching)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노 구조물은 표면 플라즈몬 나노 구조인 것을 특징으로 하는 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 특정 패턴 형태의 간격 또는 크기는 파장 대역에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 특정 패턴 형태의 높이 또는 형상은 서로 다른 크기 또는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 특정 패턴 형태는 단면이 기둥 형상, 삼각 형상, 및 등변 사다리꼴 형상 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서,상기 나노 패턴의 배열, 크기는 파장 대역에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자
10 10
반도체 웨이퍼를 준비하는 준비 단계;상면에 플라즈몬 현상을 유도하는 나노 패턴을 갖는 나노 구조물을 상기 반도체 웨이퍼의 상단 표면상에 패터닝하는 패터닝 단계; 및상기 반도체 웨이퍼를 에칭하여 반도체 기판의 표면상에 돌출되는 특정 패턴 형태를 갖는 다수의 수광부를 형성하는 에칭 단계;를 포함하되,상기 나노 구조물은 상기 다수의 수광부 사이에 걸치며, 상기 반도체 기판의 표면상에 접촉 배치되며,상기 나노 구조물은 금속 물질이고, 상기 다수의 수광부는 MAC(Metal-Assited-Chemical) 에칭 방식에 의해 형성되며,상기 MAC 에칭 방식은 에칭을 서서히 하여 상기 다수의 수광부가 형성되도록 하는 느린 에칭(slow etching) 및 에칭을 급속히 진행하여 상기 나노 구조물이 형성되도록 하는 빠른 에칭(fast etching)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 나노 구조물은 표면 플라즈몬 나노 구조인 것을 특징으로 하는 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제 10 항에 있어서,상기 특정 패턴 형태의 간격 또는 크기는 파장 대역에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 플라즈몬 구조를 이용한 수광 소자 제조 방법
14 14
삭제
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09722108 US 미국 FAMILY
2 US20160079452 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016079452 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9722108 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.