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반도체 발광소자의 투명전극으로서,금속산화물 반도체층; 및상기 금속산화물 반도체층의 내측에 패터닝된 형태로 마련되는 그래핀층;을 포함하되,상기 금속산화물 반도체층 및 상기 그래핀층은 각각 복수의 금속산화물 반도체층과 복수의 그래핀층이고, 상기 복수의 금속산화물 반도체층과 상기 복수의 그래핀층은 서로 교대로 적층되며,상기 그래핀층은, 상기 금속산화물 반도체층의 가로 방향을 따라 서로 이격된 복수의 스트립(stripe) 형태로 마련되거나, 서로 이격된 복수의 그리드(grid) 형태로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 투명전극
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 반도체층은, Zn, Ti, In, Ga, Sn 중 어느 하나의 원소로 이루어지는 산화물 반도체층 또는 상기 금속 원소가 적어도 2개 이상이 복합되어 이루어지는 산화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 투명전극
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발광소자 제조방법으로서,(a) 제1 기판 또는 도전형 반도체층이 마련된 제2 기판을 준비하는 단계; 및(b) 상기 제1 기판 또는 상기 도전형 반도체층의 상부에, 금속산화물 반도체층 및 상기 금속산화물 반도체층의 내측에 패터닝된 형태로 마련되는 그래핀층을 포함하는 투명전극을 마련하는 단계를 포함하되,상기 (b)단계는, (b1) 상기 제1 기판 또는 상기 도전형 반도체층의 상부에 금속산화물 반도체를 증착하여 금속산화물 반도체층을 형성하고, 촉매금속을 이용하여 PMMA/그래핀 멤브레인을 제조하는 단계와, (b2) 상기 PMMA/그래핀 멤브레인을 상기 금속산화물 반도체층의 상부로 트랜스퍼한 후 PMMA를 용해하여 제거하여 그래핀층을 형성하는 단계와, (b3) 상기 그래핀층을 PR 패터닝하는 단계와, (b4) 상기 PR 패터닝된 상기 그래핀층을 에칭하는 단계와, (b5) PR을 제거하는 단계 및 (b6) 패터닝된 상기 그래핀층 상부에 금속산화물 반도체를 재증착하는 단계를 포함하며,상기 (b4)단계에서의 상기 그래핀층은, 상기 금속산화물 반도체층의 가로 방향을 따라 서로 이격된 복수의 스트립(stripe) 형태로 마련되거나, 서로 이격된 복수의 그리드(grid) 형태로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 (b1)단계에서 상기 PMMA/그래핀 멤브레인을 제조하는 단계는,(b11) 촉매금속에 그래핀을 마련한 후 성장시키는 단계;(b12) 성장된 그래핀의 상부에 PMMA를 코팅하는 단계; 및(b13) 상기 촉매금속을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속산화물 반도체층은, RF 스퍼터링, 이빔(e-beam) 증착, 화학기상증착(CVD), 스핀 코팅(spin-coating), 졸-겔(sol-gel)법 중 어느 하나의 방법을 통해 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속산화물 반도체층은, Zn, Ti, In, Ga, Sn 중 어느 하나의 원소로 이루어지는 산화물 반도체층 또는 상기 금속 원소가 적어도 2개 이상이 복합되어 이루어지는 산화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제5항, 제7항, 제9항 또는 제10항 중 어느 한 항에 따른 발광소자 제조방법에 의해 제조되는 반도체 발광소자
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