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액티브 픽셀 어레이와 옵티컬 블랙 픽셀 어레이가 형성된 픽셀층;상기 액티브 픽셀 어레이의 상부에 형성되고, 광 투과도가 높은 하프늄 산화막으로 구성된 제1 반사방지막; 및상기 옵티컬 블랙 픽셀 어레이의 상부에 형성되고, 광 투과도가 낮은 하프늄 산화막으로 형성된 제2 반사방지막을 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 제1 반사방지막을 구성하는 하프늄 산화막은 HfO2로 구성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 제2 반사방지막을 구성하는 하프늄 산화막은 HfOx(x는 1 이하)로 구성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 반사방지막과 상기 제2 반사방지막은 서로 인접하도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 픽셀층의 하부에 내부에 배선들이 형성된 절연층이 형성되고, 제1 및 제2 반사방지막들 위에 가시광선을 통과시키는 칼라 필터층; 및외부로부터 입사되는 빛을 집광하는 마이크로 렌즈층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 픽셀층과 제1 및 제2 반사방지막들 사이에 내부에 배선들이 형성된 절연층이 형성되고,상기 제1 및 제2 반사방지막들 위에,가시광선을 통과시키는 칼라 필터층; 및외부로부터 입사되는 빛을 집광하는 마이크로 렌즈층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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액티브 픽셀 어레이와 옵티컬 블랙 픽셀 어레이가 형성된 기판을 갖는 이미지 센서의 제조 방법에 있어서,(a) 상기 액티브 픽셀 어레이의 상부와 상기 옵티컬 블랙 픽셀 어레이의 상부에 실리콘 산화막을 형성하는 단계;(b) 상기 옵티컬 블랙 픽셀 어레이의 상부에 형성된 실리콘 산화막을 제거하는 단계;(c) 상기 옵티컬 블랙 픽셀 어레이의 상부와 상기 실리콘 산화막의 상부에 하프늄막을 형성하는 단계; 및(d) 상기 액티브 픽셀 어레이의 상부에는 광 투과도가 높은 하프늄 산화막을 형성하고, 상기 옵티컬 블랙 픽셀 어레이의 상부에는 광 투과도가 낮은 하프늄 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
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8
제7항에 있어서, 상기 (d) 단계는,(d-1) 상기 하프늄막을 산화시키는 단계; 및(d-2) 상기 실리콘 물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 하프늄막을 섭씨 300도 내지 450도에서 어닐링하여 상기 하프늄 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
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10
제7항에 있어서, 상기 하프늄막을 상온에서 30분 내지 150분 동안 방치하여 상기 하프늄 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
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