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정공 수송층, 양자점 발광층, 및 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층이 ZnO 밴드갭을 증가시킬 수 있는 금속이 합금화된 Zn 함유 금속 산화물 나노입자를 포함하며,상기 금속은 상기 나노입자의 크기 감소 및 합금화를 통해 밴드갭을 증가시켜 전도대의 최저점(conduction band minimum : CBM) 준위의 상향천이(upshift)를 일으킴으로써 상기 양자점 발광층으로의 전자 주입을 촉진하는 양자점-발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 Zn 함유 금속 산화물은 Zn1-xMexO(0003c#x≤0
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제1항에 있어서, 상기 정공 수송층은 유기물인 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자
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제1항에 있어서, 양극, 정공 주입층 및 음극을 더 포함하고, 상기 정공 주입층은 poly(ethylenedioxythiophene):polystyrene sulphonate(PEDOT:PSS), 상기 정공 수송층은 poly(9-vinlycarbazole)(PVK)인 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 양자점 발광층은 II-VI족, I-Ⅲ-VI족 또는 Ⅲ-V족 나노 반도체 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자
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제5항에 있어서, 상기 양자점은 Cd-Se, Cd-S, Cd-Te, Zn-Se, Zn-Te, Zn-S, Hg-Te, In-As, In-P, In-Sb, Al-S, Al-P, Al-As, Pb-S, Pb-Se, Ga-As, Ga-N, Ga-Sb, Cu-In-S, Ag-In-S, Zn-Cu-In-S, Cu-In-Ga-S 또는 그 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속 함량에 따라 상기 양자점-발광 소자의 전류 밀도, 휘도 및 외부 양자 효율(EQE)이 증가하는 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 양자점 발광층은 Cu-In-S/Zn-S 코어/쉘 구조의 양자점을 포함하고, 상기 전자 수송층은 Zn1-xMgxO(0003c#x≤0
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정공 수송층, 양자점 발광층, 및 전자 수송층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전자 수송층이 ZnO 밴드갭을 증가시킬 수 있는 금속이 합금화된 Zn 함유 금속 산화물 나노입자를 포함하도록 형성하며,상기 금속은 상기 나노입자의 크기 감소 및 합금화를 통해 밴드갭을 증가시켜 전도대의 최저점 준위의 상향천이를 일으킴으로써 상기 양자점 발광층으로의 전자 주입을 촉진하는 양자점-발광 소자 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 양자점 발광층 및 전자 수송층은 용액 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 Zn 함유 금속 산화물은 Zn1-xMexO(0003c#x≤0
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제9항에 있어서, 상기 ZnO 밴드갭을 증가시킬 수 있는 금속이 합금화된 Zn 함유 금속 산화물 나노입자는, Zn acetate dihydrate와 Mg acetate tetrahydrate를 포함하는 DMSO(dimethyl sulfoxide) 안에 용해되어 있는 양이온 용액에 TMAH(tetramethylammoniumhydroxide) 및 에탄올을 포함하는 투명 용액을 추가한 후 침전시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자 제조방법
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