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(a) 그래파이트 층간삽입 화합물(GIC)을 구비하는 단계;(b) 상기 그래파이트 층간삽입 화합물(GIC)을 아르곤(Ar) 분위기에서 가열하여 팽창된 그래파이트를 얻는 단계;(c) 초음파 처리를 이용하여 상기 팽창된 그래파이트를 유기용매 및 계면활성제 사용 없이, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 전구체에 분산시켜 그래핀/폴리(p-페닐렌 비닐렌) 전구체의 복합체를 형성하는 단계;(d) 얻어진 분산액에서 불안정한 응집체가 침강되도록 분산액의 상태를 유지한 후, 원심분리하는 단계;(e) 원심분리된 분산액의 상등액을 취하여 증류수로 희석하는 단계; 및(f) 희석된 분산액을 원심분리하여 침강물을 수집한 후, 초음파 처리를 이용하여 상기 침강물을 증류수에 재분산시켜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 전구체로 안정화된 수성매질 그래핀 분산액 형태를 얻는 단계;를 포함하며,상기 (c) 단계의 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 전구체는 비공액성 고분자로서, 열적 처리 또는 산을 사용한 화학적 처리를 통해 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 공액 고분자로 전이되어 전도성을 띄게 되는 것임을 특징으로 하는,그래핀 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 전구체는 하기 화학식 A로 표시되는 것임을 특징으로 하는 그래핀 나노시트의 제조방법:[화학식 A]상기 화학식 A에서, X는 C4H4S(싸이오펜) 또는 S(CH3)2(설포늄)이고; R1 및 R2는 각각 독립적으로 H, C4H9, CH3O, C6H13O, C8H17O, C9H19O, C10H21O 또는 2-에틸헥실이다
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 가열은 1000℃에서 30초간 가열하는 것임을 특징으로 하는 그래핀 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 초음파 처리는 프로브 초음파 처리(Probe-sonication)인 것임을 특징으로 하는 그래핀 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (f) 단계의 침강물 수집 및 재분산은 5~7회 반복 수행하는 것임을 특징으로 하는 그래핀 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (f) 단계의 초음파 처리는 저출력 소닉 배쓰(Low power sonic bath)에서 수행하는 것임을 특징으로 하는 그래핀 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (f) 단계는, 농도가 0
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노시트의 제조방법은 그래파이트를 5층 미만의 그래핀층 수준으로 박리하는 것임을 특징으로 하는 그래핀 나노시트의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노시트의 제조방법은 2~10 nm 두께의 그래핀 나노시트를 얻는 것임을 특징으로 하는 그래핀 나노시트의 제조방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 전구체로 안정화된 수성매질 그래핀 분산액 형태의, 그래핀 나노시트
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제10항에 있어서,상기 그래핀 나노시트는 박막 전자 장치(Thin film electronic device)의 박막 코팅재료로 사용되는 것임을 특징으로 하는 그래핀 나노시트
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