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표면 개질된 실리콘 양자점으로부터 제조되는 실리콘 수지를 함유하는 조성물 및 이의 제조방법(composition containing a silicone resin which is prepared from the surface-modified silicon quantum dots and method for preparing the same)

  • 기술번호 : KST2016008393
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면개질된 실리콘 양자점으로부터 제조된 실리콘 수지를 함유하는 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 조성물은 표면개질된 실리콘 양자점을 포함하여 제조됨으로써 투과율과 굴절율이 매우 높다.
Int. CL C08G 77/38 (2006.01) C08K 9/04 (2006.01) C08L 83/04 (2006.01) C08K 3/08 (2006.01) C08G 77/398 (2006.01)
CPC C08G 77/398(2013.01) C08G 77/398(2013.01) C08G 77/398(2013.01) C08G 77/398(2013.01)
출원번호/일자 1020150133844 (2015.09.22)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0037091 (2016.04.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140128831   |   2014.09.26
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정현담 대한민국 광주광역시 북구
2 최진규 대한민국 전라남도 여수시 여서로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0923015-44
2 공지예외적용주장 증명서류 제출기한 안내문
 2015.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0149630-52
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0034714-20
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0051382-36
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0221372-21
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0221397-62
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0533472-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
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번호 청구항
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a)촉매 존재하에 표면개질된 실리콘 양자점과 트리알콕시실란을 반응시켜 실리콘 화합물을 제조하는 단계;및b)상기 실리콘 화합물 단독 또는 상기 실리콘 화합물과 실란커플링제를 반응시켜 실리콘 수지를 제조하는 단계;를 포함하되,상기 표면개질된 실리콘 양자점은,a1)염기존재하에 계면활성제와 실리콘 전구체를 반응시켜 실리카 나노입자를 제조하는 단계;a2)실리카 나노입자를 마그네슘으로 환원시켜 실리카 나노결정을 제조하는 단계;a3)상기 실리카 나노결정을 산용액으로 에칭하여 실리콘 양자점을 제조하는 단계:및a4)상기 실리콘 양자점을 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 표면개질하여 표면개질된 실리콘 양자점을 제조하는 단계;를 포함하여 제조되는 표면개질된 실리콘 양자점으로부터 제조되는 실리콘 수지를 함유하는 조성물의 제조방법
6 6
촉매 존재하에 표면개질된 실리콘 양자점과 실란커플링제를 반응시켜 실리콘 수지를 제조하는 단계;를 포함하되,상기 표면개질된 실리콘 양자점은,a1)염기존재하에 계면활성제와 실리콘 전구체를 반응시켜 실리카 나노입자를 제조하는 단계;a2)실리카 나노입자를 마그네슘으로 환원시켜 실리카 나노결정을 제조하는 단계;a3)상기 실리카 나노결정을 산용액으로 에칭하여 실리콘 양자점을 제조하는 단계:및a4)상기 실리콘 양자점을 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 표면개질하여 표면개질된 실리콘 양자점을 제조하는 단계;를 포함하여 제조되는 표면개질된 실리콘 양자점으로부터 제조되는 실리콘 수지를 함유하는 조성물의 제조방법
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8 8
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 촉매는 H2PtCl6 또는 platinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex인 조성물의 제조방법
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 실리콘 전구체는 테트라메톡시실란 또는 테트라에톡시실란인 조성물의 제조방법
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제 5항에 있어서,트리알콕시실란은 트리메톡시실란 또는 트리에톡시실란인 조성물의 제조방법
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 실란커플링제는 테트라알콕시실란, 트리알콕시실란, 메틸 디메톡시 실란, 비닐실란, 아미노 실란, 에톡시실란 또는 비닐기를 포함하는 유기알콕시실란인 조성물의 제조방법
12 12
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 산용액은 불산용액인 조성물의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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1 교과부 전남대학교 기본연구지원사업 다중 양자 우물 고분자의 전자 수송 연구