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1차 산란 패턴의 생성을 위한 기준빔을 방출하는 기준광원부(100);광열효과를 발생하기 위한 광열빔을 방출하는 광열광원부(200);채취된 혈액 시료를 수용하기 위한 큐벳부(300);상기 기준광원부(100)에서 방출된 기준빔이 상기 큐벳부(300)에 입사된 후 형성된 1차 산란 패턴의 신호 및 광열광원부(200)에서 방출된 광열빔이 상기 큐벳부(300)에 입사된 후 광열효과 영향을 받아 형성된 2차 산란 패턴의 신호가 기록되는 영상획득부(400);상기 영상획득부와 전기적으로 연결되어 있으며, 그래프화한 1차 산란 패턴으로부터 그래프화한 2차 산란 패턴의 위상변화를 측정하여 헤모글로빈의 농도를 계산하는 농도연산부(500);를 포함하고,상기 큐벳부(300)는 상기 광열빔이 혈액 내로 전달될 수 있도록 투명한 재질인 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 기준빔은 파장이 600nm 내지 1100nm인 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 광열빔은 파장이 300nm 내지 600nm인 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 기준광원부(100)는 레이저 또는 레이저 다이오드(laser diode)인 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 광열광원부(200)는 DPSS(diode pumped solid state) 레이저, LED, 레이저 다이오드(laser diode) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 영상획득부(400)는 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor), CCD(Charge Coupled Device), 단일 광센서(single photodiode), 광센서 어레이 (Photodiode array), 반도체 위치 검출기(Position sensitive detector) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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제1항에 있어서,광열광원부에서 방출된 광열빔이 큐벳부로 입사되기 전에 빔 익스펜더를 통과하여 굵고 평행한 광선속으로 변환되는 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 큐벳부와 영상획득부 사이에 오목렌즈가 위치하여, 확대된 1차 및 2차 산란패턴이 영상획득부에 기록되도록 하는 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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제1항에 있어서, 상기 광열빔은 시간에 따라 세기가 변조되는 빔인 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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제10항에 있어서,상기 농도연산부(500)에서는 1차 및 2차 산란 패턴을 그래프화한 후, 얻어진 시간에 따른 위상변화 그래프를 푸리에 변환하여 피크(peak)의 제 1 측정값을 얻고, 헤모글로빈 농도 및 상기 제 1 측정값의 연관 관계에 따라 헤모글로빈 농도를 연산하는 것을 특징으로 하는 헤모글로빈 농도 측정 장치
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