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기체 내 여기자(donor) 분자에 선택적으로 반응하도록, 채널 영역이 n-type으로 도핑된 제 1 센서부;상기 기체 내 수용자(acceptor) 분자에 선택적으로 반응하도록, 채널 영역이 p-type으로 도핑된 제 2 센서부; 및상기 제 1 센서부로부터 상기 여기자 분자의 감지 신호를 수신하고, 상기 제 2 센서부로부터 상기 수용자 분자의 감지 신호를 수신하며, 수신된 상기 감지 신호들을 처리하여 감지 처리 결과 데이터를 생성하는 신호 처리부를 포함하는, 가스 센서 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 신호 처리부로부터 상기 감지 처리 결과 데이터를 수신하여 출력하는 출력부를 더 포함하는, 가스 센서 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 센서부는:기판 상에 형성되어 채널 영역을 형성하는 제 1 그래핀 층;상기 기판 상에서 상기 제 1 그래핀 층의 일측면에 형성된 제 1 전극층; 및상기 기판 상에서 상기 제 1 그래핀 층의 타측면에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층은 그래핀의 초기 일함수보다 작은 일함수를 갖는 물질을 포함하여 형성되며,상기 그래핀의 초기 일함수보다 작은 일함수를 갖는 물질에 의해, 상기 제 1 그래핀 층이 n-type으로 도핑되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서 장치
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4
제 3 항에 있어서, 상기 제 2 센서부는:상기 기판 상에 형성되어 채널 영역을 형성하는 제 2 그래핀 층;상기 기판 상에서 상기 제 2 그래핀 층의 일측면에 형성된 제 3 전극층; 및상기 기판 상에서 상기 제 2 그래핀 층의 타측면에 형성된 제 4 전극층을 포함하고,상기 제 3 전극층 및 상기 제 4 전극층은 그래핀의 초기 일함수보다 큰 일함수를 갖는 물질을 포함하여 형성되며,상기 그래핀의 초기 일함수보다 큰 일함수를 갖는 물질에 의해, 상기 제 2 그래핀 층이 p-type으로 도핑되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서 장치
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5
제 3 항에 있어서, 상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층은 티타늄(Ti) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서 장치
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6
제 4 항에 있어서, 상기 제 3 전극층 및 제 4 전극층은 금(Au), 철(Fe) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서 장치
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7
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 센서부는,기판 상에 형성되어 상기 채널 영역을 형성하는 제 1 그래핀 층;상기 기판 상에서 상기 제 1 그래핀 층의 일측면에 형성된 제 1 전극층; 및상기 기판 상에서 상기 제 1 그래핀 층의 타측면에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,상기 제 1 그래핀 층에는, 그래핀의 초기 일함수보다 작은 일함수를 갖는 물질로 형성되는 제 1 입자들이 주사되며, 상기 제 1 입자들에 의해 상기 제 1 그래핀 층이 n-type으로 도핑되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서 장치
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8
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 센서부는,상기 기판 상에 형성되어 상기 채널 영역을 형성하는 제 2 그래핀 층;상기 기판 상에서 상기 제 2 그래핀 층의 일측면에 형성된 제 3 전극층; 및상기 기판 상에서 상기 제 2 그래핀 층의 타측면에 형성된 제 4 전극층을 포함하고,상기 제 2 그래핀 층에는, 그래핀의 초기 일함수보다 큰 일함수를 갖는 물질로 형성되는 제 2 입자들이 주사되며, 상기 제 2 입자들에 의해 상기 제 2 그래핀 층이 p-type으로 도핑되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서 장치
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9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 전극층, 제 2 전극층, 제 3 전극층 및 제 4 전극층은 그래핀과 동일한 일함수를 갖는 물질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서 장치
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10
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 전극층, 제 2 전극층, 제 3 전극층 및 제 4 전극층은 텅스턴(Tu)을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서 장치
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