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서로 이격된 돌기형 구조체가 형성된 기판;상기 돌기형 구조체 및 기판 표면 상에 형성된 무기물 함유 입자;상기 무기물 함유 입자 상에 형성된 금속 함유 나노입자;를 포함하되,상기 금속 함유 나노입자는 상기 무기물 함유 입자 표면상으로 인접한 금속 함유 나노입자와 상기 기판 내에서 공간적으로 인접한 금속 함유 나노입자 중 적어도 어느 하나 이상과 나노갭을 형성하고,상기 무기물 함유 입자는 무기물을 진공증착시켜 형성되며,상기 무기물은 초기에는 상기 기판의 표면 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 무기물 함유 입자는 구형 또는 타원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 무기물은 Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb로 구성된 군에서 선택된 금속의 산화물(oxide), 질화물(nitride), 산화물-질화물의 화합물(oxynitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착하여 형성한 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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제1항 또는 제5항에 있어서,상기 진공증착은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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제5항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd, 및 이의 합금으로 구성된 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판이고,상기 돌기형 구조체는 상기 고분자 기판을 표면처리하여 형성한 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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제8항에 있어서,상기 표면처리는 나노 임프린팅, 나노 리소그래피 및 건식 식각 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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제9항에 있어서,상기 건식 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하여 수행되는 플라즈마 건식 식각인 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 상부가 하부보다 곡률이 크게 형성된 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판
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기판을 가공하여 서로 이격된 돌기형 구조체를 형성하는 단계;상기 돌기형 구조체 및 상기 기판 표면 상에 무기물 함유 입자를 형성하는 단계;상기 무기물 함유 입자 상에 금속 함유 나노입자를 형성하는 단계;를 포함하되,상기 금속 함유 나노입자는 상기 무기물 함유 입자 표면상으로 인접한 금속 함유 나노입자와 상기 기판 내에서 공간적으로 인접한 금속 함유 나노입자 중 적어도 어느 하나 이상과 나노갭을 형성하고,상기 무기물 함유 입자는 무기물을 진공증착시켜 형성되며,상기 무기물은 초기에는 상기 기판의 표면 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 무기물 함유 입자는 구형 또는 타원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 무기물은 Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb로 구성된 군에서 선택된 금속의 산화물(oxide), 질화물(nitride), 산화물-질화물의 화합물(oxynitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착하여 형성한 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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제12항 또는 제16항에 있어서,상기 진공증착은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd, 및 이의 합금으로 구성된 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판이고,상기 돌기형 구조체는 상기 고분자 기판을 표면처리하여 형성한 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 표면처리는 나노 임프린팅, 나노 리소그래피 및 건식 식각 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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제20항에 있어서,상기 건식 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하여 수행되는 플라즈마 건식 식각인 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 상부가 하부보다 곡률이 크게 형성된 것을 특징으로 하는 무기물 입자가 형성된 기판의 제조방법
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