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서로 이격된 상부 돌출곡면을 갖는 돌기형 구조체가 형성된 기판;상기 돌기형 구조체 상에 형성된 금속 함유 나노입자; 및상기 기판 표면에 형성된 금속 함유 박막;을 포함하되,상기 금속 함유 나노입자와 상기 금속 함유 박막층은 상기 기판에 라만활성물질을 동시에 진공증착시켜 형성되며,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 금속 함유 박막 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 상부가 하부보다 곡률이 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자와 상기 돌기형 구조체 사이 및 상기 금속 함유 박막과 상기 기판 표면 사이에 형성된 무기물 함유 박막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제3항에 있어서,상기 무기물 함유 박막과 상기 기판 사이에 형성되는 상기 무기물 함유 박막과 재료가 상이한 적어도 하나 이상의 무기물 함유 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제3항 또는 제4항에 있어서,상기 무기물은 Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, 및 Yb로 구성된 군에서 선택된 금속의 산화물(oxide), 질화물(nitride), 산화물-질화물의 화합물(oxynitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제3항 또는 제4항에 있어서,상기 무기물 함유 박막은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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7 |
7
제1항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판이고,상기 돌기형 구조체는 고분자 기판을 표면처리하여 형성한 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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8 |
8
제7항에 있어서,상기 표면처리는 나노 임프린팅, 나노 리소그래피 및 건식 식각 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제8항에 있어서,상기 건식 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하여 수행되는 플라즈마 건식 식각인 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, 및 이의 합금으로 구성된 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 진공증착은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 돌기형 구조체들의 간격 및 상기 금속 함유 나노입자의 크기를 조절하여 상기 금속 함유 나노입자들의 간격이 조절된 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 기판은 아크릴계 고분자(Acrylic polymers), 폴리에테르설폰 (Polyethersulfone; PES), 폴리시클로올레핀 (Polycycloolefin; PCO), 폴리우레탄 (polyiourethane) 및 폴리카보네이트(polycarbonate; PC)로 구성된 군으로부터 선택된 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판
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광원;제1항 내지 제4항 및 제7항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 표면 증강 라만 분광용 기판 ; 및라만분광을 검출하는 검출기;를 구비한 라만 분광 장치
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제1항에 기재된 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법에 있어서,기판을 표면처리하여 서로 이격된 상부 돌출곡면을 갖는 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및 인접한 상기 금속 함유 나노입자들 사이에 나노갭이 형성될 때까지 라만활성물질을 동시에 진공증착시켜, 상부 돌기형 구조체 상에는 금속 함유 나노입자를, 상기 기판 표면에는 금속 함유 박막을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 금속 함유 박막 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 돌기형 구조체를 형성하는 단계에서 상기 돌기형 구조체는 상부가 하부보다 곡률이 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 기판 표면 및 상기 돌기형 구조체 상에 무기물 함유 박막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 무기물 함유 박막이 형성되기 전에 상기 무기물 함유 박막과 재료가 상이한 적어도 하나 이상의 무기물 함유 박막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제17항 또는 제18항에 있어서,상기 무기물은 Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, 및 Yb로 구성된 군에서 선택된 금속의 산화물(oxide), 질화물(nitride), 산화물-질화물의 화합물(oxynitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제17항 또는 제18항에 있어서,상기 무기물 함유 박막은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판이고,상기 표면처리는 나노 임프린팅, 나노 리소그래피 및 건식 식각 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 건식 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하여 수행되는 플라즈마 건식 식각인 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, 및 이의 합금으로 구성된 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 진공증착은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 돌기형 구조체들의 간격 및 상기 금속 함유 나노입자의 크기를 조절하여 상기 나노갭이 조절된 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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