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무기물-금속 구조체가 형성된 기판 및 이의 제조방법(substrate having inorganic-metal structure and fabricating method for the same)

  • 기술번호 : KST2016008489
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무기물-금속 구조체가 형성된 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 서로 이격된 상부 돌출곡면을 갖는 돌기형 구조체가 형성된 기판; 상기 돌기형 구조체 상에 형성된 금속 함유 나노입자; 상기 기판 표면에 형성된 금속 함유 박막; 및 상기 금속 함유 나노입자와 상기 돌기형 구조체 사이 및 상기 금속 함유 박막과 상기 기판 표면 사이에 형성된 무기물 함유 박막;을 포함하되, 상기 금속 함유 나노입자와 상기 금속 함유 박막층은 상기 기판에 라만활성물질을 동시에 진공증착시켜 형성되며, 상기 라만활성물질은 초기에는 상기 금속박막 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판에 관한 것으로, 나노갭을 용이하게 조절할 수 있고 무기물 함유 박막을 도입하여 접착력 및 열적 안정성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G01J 3/44 (2006.01)
CPC G01J 3/44(2013.01) G01J 3/44(2013.01)
출원번호/일자 1020140129535 (2014.09.26)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0037372 (2016.04.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160005617;
심사청구여부/일자 Y (2014.09.26)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤정흠 대한민국 경상남도 김해시 월산로 *
2 박성규 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 김동호 대한민국 경상남도 창원시 마산회원구
4 문채원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0921593-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0069149-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0643790-56
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-1094693-80
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-1227820-79
7 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0049113-98
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0049149-20
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0049136-37
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0372748-04
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0604615-14
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.06.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0604671-61
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0524516-95
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.08.09 수리 (Accepted) 7-1-2016-0047590-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
서로 이격된 상부 돌출곡면을 갖는 돌기형 구조체가 형성된 기판;상기 돌기형 구조체 상에 형성된 금속 함유 나노입자;상기 기판 표면에 형성된 금속 함유 박막; 및상기 금속 함유 나노입자와 상기 돌기형 구조체 사이 및 상기 금속 함유 박막과 상기 기판 표면 사이에 형성된 무기물 함유 박막;을 포함하되,상기 금속 함유 나노입자와 상기 금속 함유 박막층은 상기 기판에 라만활성물질을 동시에 진공증착시켜 형성되며,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 금속박막 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
2 2
제1항에 있어서,상기 무기물 함유 박막과 상기 기판 사이에 형성되는 상기 무기물 함유 박막과 재료가 상이한 적어도 하나 이상의 무기물 함유 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
3 3
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 무기물은 Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb로 구성된 군에서 선택된 금속의 산화물(oxide), 질화물(nitride), 산화물-질화물의 화합물(oxynitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
4 4
제1항에 있어서,상기 무기물 함유 박막은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
5 5
제1항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판이고,상기 돌기형 구조체는 고분자 기판을 표면처리하여 형성한 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
6 6
제5항에 있어서,상기 표면처리는 나노 임프린팅, 나노 리소그래피 및 건식 식각 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
7 7
제6항에 있어서,상기 건식 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하여 수행되는 플라즈마 건식 식각인 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
8 8
제1항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd, 및 이의 합금으로 구성된 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
9 9
제1항에 있어서,상기 진공증착은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
10 10
제1항에 있어서,상기 돌기형 구조체들의 간격 및 상기 금속 함유 나노입자의 크기를 조절하여 상기 금속 함유 나노입자들의 간격이 조절된 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
11 11
제1항에 있어서,상기 기판은 아크릴계 고분자(Acrylic polymers), 폴리에테르설폰 (Polyethersulfone; PES), 폴리시클로올레핀 (Polycycloolefin; PCO), 폴리우레탄 (polyiourethane) 및 폴리카보네이트(polycarbonate; PC)로 구성된 군으로부터 선택된 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판
12 12
제1항에 기재된 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법에 있어서,기판을 표면처리하여 서로 이격된 상부 돌출곡면을 갖는 돌기형 구조체를 형성하는 단계;상기 기판 표면 및 상기 돌기형 구조체 상에 무기물 함유 박막을 형성하는 단계; 및상기 인접한 금속 함유 나노입자들 사이에 나노갭이 형성될 때까지 라만활성물질을 동시에 진공증착시켜, 상부 돌기형 구조체 상에는 금속 함유 나노입자를, 상기 기판 표면에는 금속 함유 박막을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 금속박막 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 무기물 함유 박막이 형성되기 전에 상기 무기물 함유 박막과 재료가 상이한 적어도 하나 이상의 무기물 함유 박막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법
14 14
제11항 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 무기물은 Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb로 구성된 군에서 선택된 금속의 산화물(oxide), 질화물(nitride), 산화물-질화물의 화합물(oxynitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법
15 15
제12항에 있어서,상기 무기물 함유 박막은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법
16 16
제12항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판이고,상기 표면처리는 나노 임프린팅, 나노 리소그래피 및 건식 식각 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법
17 17
제12항에 있어서,상기 건식 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하여 수행되는 플라즈마 건식 식각인 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법
18 18
제12항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd, 및 이의 합금으로 구성된 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법
19 19
제12항에 있어서,상기 진공증착은 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 및 이베퍼레이션(evaporation) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법
20 20
제12항에 있어서,상기 돌기형 구조체들의 간격 및 상기 금속 함유 나노입자의 크기를 조절하여 상기 나노갭이 조절된 것을 특징으로 하는 무기물-금속 구조체가 형성된 기판의 제조방법
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1 미래창조과학부 한국기계연구원부설재료연구소 주요사업 인지니어링 감지소재 기술개발(분자감지용 초고감도 라만증강소재 기술개발)(1/5)