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표면에 서로 이격되어 형성된 돌기형 구조체를 포함하는 기판;상기 기판의 표면 및 상기 돌기형 구조체 상에 형성된 금속 함유 박막;상기 금속 함유 박막 상에 형성된 절연막; 및상기 절연막 상에 형성된 금속 함유 나노입자;를 포함하되,상기 금속 함유 나노입자는 다른 금속 함유 나노입자 및 상기 금속 함유 박막과 나노갭을 형성하며;상기 절연막의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 박막은 라만활성물질을 진공증착시켜 형성된 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제2항에 있어서,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 기판의 표면 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 플라즈마 식각, 소프트 리소그라피(soft lithography), 엠보싱(embossing), 나노임프린트 리소그라피(nanoimprint lithography), 포토 리소그라피 (photolithography), 및 홀로그래픽 리소그라피 (holographic lithography) 중 어느 하나의 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제5항에 있어서,상기 플라즈마 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제7항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제2항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd 및 이의 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 절연막은 진공증착 및 용액공정 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제10항에 있어서,상기 진공증착은 원자층증착, 화학기상증착, 스퍼터링 및 열증착법 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제10항에 있어서,상기 용액공정은 스핀코팅, 딥 코팅 및 드랍핑 공정 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제1항에 있어서,상기 절연막은 알루미나, 금속산화물, 금속황화물, 금속 할로겐화물, 실리카, 산화지르코늄 및 산화철 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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제1항에 있어서,특정 파장에 대해 국소 플라즈몬 공명 파장이 광원의 파장과 측정하고자 하는 분석 대상 분자의 라만파장 사이에 위치하도록 상기 절연막의 두께 및 금속나노입자의 크기 중 적어도 어느 하나가 조절되는 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판
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광원; 표면증강 라만 분광용으로 사용하는 제1항 내지 제8항 및 제10항 내지 제13항 및 제15항 중 어느 한 항에 기재된 기판; 및 라만분광을 검출하는 검출기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 라만분광 장치
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제16항에 있어서,상기 광원은 레이저인 것을 특징으로 하는 라만분광 장치
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기판의 표면에 서로 이격된 돌기형 구조체를 형성하는 단계;상기 기판의 표면 및 상기 돌기형 구조체 상에 금속 함유 박막을 형성하는 단계;상기 금속 함유 박막 상에 절연막을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 금속 함유 나노입자들을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 금속 함유 나노입자는 다른 금속 함유 나노입자 및 상기 금속 함유 박막과 나노갭을 형성하며;상기 절연막의 두께는 0
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제18항에 있어서,상기 금속 함유 박막은 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되며,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 기판 표면 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 플라즈마 식각, 소프트 리소그라피(soft lithography), 엠보싱(embossing), 나노임프린트 리소그라피(nanoimprint lithography), 포토 리소그라피 (photolithography), 및 홀로그래픽 리소그라피 (holographic lithography) 중 어느 하나의 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 플라즈마 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제23항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제19항 및 제23항 중 어느 한 항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd 및 이의 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 절연막은 진공증착 및 용액공정 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제26항에 있어서,상기 진공증착은 원자층증착, 화학기상증착, 스퍼터링 및 열증착법 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제26항에 있어서,상기 용액공정은 스핀코팅, 딥 코팅 및 드랍핑 공정 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 절연막은 알루미나, 금속산화물, 금속황화물, 금속 할로겐화물, 실리카, 산화지르코늄 및 산화철 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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제18항에 있어서,특정 파장에 대해 국소 플라즈몬 공명 파장이 광원의 파장과 측정하고자 하는 분석 대상 분자의 라만파장 사이에 위치하도록 상기 절연막의 두께 및 금속나노입자의 크기 중 적어도 어느 하나가 조절되는 것을 특징으로 하는 복수의 나노갭이 형성된 기판의 제조방법
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