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기판;상기 기판에 형성된 불규칙한 방향으로 기울어진 나노로드; 및상기 나노로드 및 상기 기판의 표면 상에 형성된 금속 함유 박막;를 포함하되,나노로드 상에 형성된 금속 함유 박막은 인접한 나노로드 상에 증착된 금속 함유 박막과 표면 플라즈몬 공명을 유도하는 다양한 크기의 나노갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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제1항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판이고,상기 나노로드는 상기 고분자 기판을 플라즈마 표면 처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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제1항에 있어서,상기 나노로드의 지름은 10 nm 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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제1항에 있어서,상기 나노로드의 기판 표면으로부터의 높이는 30nm 내지 2㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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제1항에 있어서,상기 나노로드의 종횡비는 3 내지 20인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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제1항에 있어서,상기 나노갭 중 일부 나노갭들은 기판 표면으로 갈수록 400 nm에서 1nm로 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 박막은 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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제7항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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제7항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd 및 이의 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 박막의 두께는 50nm 내지 350nm인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체
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기판을 준비하는 단계;상기 기판을 가공하여 불규칙한 방향으로 기울어진 나노로드들을 형성하는 단계; 및상기 나노로드 및 상기 기판의 표면 상에 금속 함유 박막을 형성하는 단계;를 포함하되,나노로드 상에 형성된 금속 함유 박막은 인접한 나노로드 상에 증착된 금속 함유 박막과 표면 플라즈몬 공명을 유도하는 다양한 크기의 나노갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판이고,상기 나노로드는 상기 고분자 기판을 플라즈마 표면 처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노로드의 지름은 10 nm 내지 200 nm로 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노로드의 높이는 기판 표면으로부터의 30nm 내지 2㎛로 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노로드의 종횡비는 3 내지 20이 되도록 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노갭 중 일부 나노갭들은 기판 표면으로 갈수록 400 nm에서 1nm로 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속 함유 박막은 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd 및 이의 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속 함유 박막의 두께는 50nm 내지 350nm로 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체의 제조방법
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