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연신가능한 기판을 가공하여 상기 기판의 표면상에 서로 이격된 돌기형 구조체를 형성하는 단계;상기 기판을 연신하는 단계;상기 돌기형 구조체에 금속 함유 나노입자를 형성하는 단계; 및상기 기판의 연신을 해제하여 상기 금속 함유 나노입자 사이에 나노갭을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판의 표면에 금속 함유 박막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 금속 함유 박막 및 상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 하나의 공정으로 진공증착시켜 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 기판의 표면 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 상부가 하부보다 곡률이 크게 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 플라즈마 식각, 소프트 리소그라피(soft lithography), 엠보싱(embossing), 나노임프린트 리소그라피(nanoimprint lithography), 포토 리소그라피 (photolithography), 및 홀로그래픽 리소그라피 (holographic lithography) 중 어느 하나의 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 플라즈마 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
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연신가능한 기판을 가공하여 상기 기판의 표면에 서로 이격된 돌기형 구조체를 형성하는 단계;상기 기판을 연신하는 단계;상기 돌기형 구조체에 금속 함유 나노입자를 형성하는 단계;상기 기판에 분석물질을 떨어뜨리는 단계; 및상기 기판의 연신을 해제하여 상기 금속 함유 나노입자 사이에 형성된 나노갭에 상기 분석물질을 포획하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판을 이용한 분석방법
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제11항에 있어서,상기 나노갭은 상기 분석물질의 크기에 상응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판을 이용한 분석방법
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연신가능한 기판;상기 기판을 가공하여 상기 기판의 표면에 서로 이격되어 형성된 돌기형 구조체; 상기 돌기형 구조체에 형성된 금속 함유 나노입자; 및상기 금속 함유 나노입자 사이에 형성되고, 상기 기판을 연신하여 조절될 수 있는 나노갭;을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제13항에 있어서,상기 기판의 표면에 형성된 금속 함유 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제14항에 있어서,상기 금속 함유 박막 및 상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 하나의 공정으로 진공증착시켜 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제15항에 있어서,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 기판의 표면 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제13항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제13항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 상부가 하부보다 곡률이 크게 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제13항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 플라즈마 식각, 소프트 리소그라피(soft lithography), 엠보싱(embossing), 나노임프린트 리소그라피(nanoimprint lithography), 포토 리소그라피 (photolithography), 및 홀로그래픽 리소그라피 (holographic lithography) 중 어느 하나의 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제19항에 있어서,상기 플라즈마 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제13항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 구형 또는 타원형의 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제13항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제22항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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제22항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd 및 이의 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
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광원; 표면증강 라만 분광용으로 사용되는 제1항 내지 제10항의 제조방법에 의해 제조된 기판 및 제13항의 기판 중 어느 하나의 기판; 및 라만분광을 검출하는 검출기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 라만분광 장치
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