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나노갭이 조절된 기판 및 이의 제조방법(adjusted nano-gap substrate and fabricating method for the same)

  • 기술번호 : KST2016008493
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노갭이 조절된 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 연신가능한 기판; 상기 기판을 가공하여 상기 기판의 표면에 서로 이격되어 형성된 돌기형 구조체; 상기 돌기형 구조체에 형성된 금속 함유 나노입자; 및 상기 금속 함유 나노입자 사이에 형성되고, 상기 기판을 연신하여 조절될 수 있는 나노갭;을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판에 관한 것으로, 기판의 연신률을 이용하여 외력이 없이도 금속 함유 나노입자간의 이격거리가 조절되는 효과가 있다.
Int. CL G01J 3/44 (2006.01) G01N 21/65 (2006.01)
CPC G01J 3/44(2013.01) G01J 3/44(2013.01) G01J 3/44(2013.01)
출원번호/일자 1020140130608 (2014.09.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1639684-0000 (2016.07.08)
공개번호/일자 10-2016-0038205 (2016.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20160715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.29)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성규 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김동호 대한민국 경상남도 창원시 마산회원구
3 윤정흠 대한민국 경상남도 김해시
4 조병진 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 문채원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0930003-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0076100-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0670903-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-1094475-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1094510-44
7 등록결정서
Decision to grant
2016.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0291388-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
연신가능한 기판을 가공하여 상기 기판의 표면상에 서로 이격된 돌기형 구조체를 형성하는 단계;상기 기판을 연신하는 단계;상기 돌기형 구조체에 금속 함유 나노입자를 형성하는 단계; 및상기 기판의 연신을 해제하여 상기 금속 함유 나노입자 사이에 나노갭을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판의 표면에 금속 함유 박막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 금속 함유 박막 및 상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 하나의 공정으로 진공증착시켜 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 기판의 표면 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 상부가 하부보다 곡률이 크게 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 플라즈마 식각, 소프트 리소그라피(soft lithography), 엠보싱(embossing), 나노임프린트 리소그라피(nanoimprint lithography), 포토 리소그라피 (photolithography), 및 홀로그래픽 리소그라피 (holographic lithography) 중 어느 하나의 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 플라즈마 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판의 제조방법
11 11
연신가능한 기판을 가공하여 상기 기판의 표면에 서로 이격된 돌기형 구조체를 형성하는 단계;상기 기판을 연신하는 단계;상기 돌기형 구조체에 금속 함유 나노입자를 형성하는 단계;상기 기판에 분석물질을 떨어뜨리는 단계; 및상기 기판의 연신을 해제하여 상기 금속 함유 나노입자 사이에 형성된 나노갭에 상기 분석물질을 포획하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판을 이용한 분석방법
12 12
제11항에 있어서,상기 나노갭은 상기 분석물질의 크기에 상응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판을 이용한 분석방법
13 13
연신가능한 기판;상기 기판을 가공하여 상기 기판의 표면에 서로 이격되어 형성된 돌기형 구조체; 상기 돌기형 구조체에 형성된 금속 함유 나노입자; 및상기 금속 함유 나노입자 사이에 형성되고, 상기 기판을 연신하여 조절될 수 있는 나노갭;을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
14 14
제13항에 있어서,상기 기판의 표면에 형성된 금속 함유 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
15 15
제14항에 있어서,상기 금속 함유 박막 및 상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 하나의 공정으로 진공증착시켜 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
16 16
제15항에 있어서,상기 라만활성물질은 초기에는 상기 기판의 표면 및 상기 돌기형 구조체에 균일하게 증착되나 증착이 진행됨에 따라 상기 돌기형 구조체의 상부에 집중적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
17 17
제13항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
18 18
제13항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 상부가 하부보다 곡률이 크게 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
19 19
제13항에 있어서,상기 돌기형 구조체는 플라즈마 식각, 소프트 리소그라피(soft lithography), 엠보싱(embossing), 나노임프린트 리소그라피(nanoimprint lithography), 포토 리소그라피 (photolithography), 및 홀로그래픽 리소그라피 (holographic lithography) 중 어느 하나의 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
20 20
제19항에 있어서,상기 플라즈마 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨 및 질소 기체로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
21 21
제13항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 구형 또는 타원형의 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
22 22
제13항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
23 23
제22항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
24 24
제22항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd 및 이의 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노갭이 조절된 기판
25 25
광원; 표면증강 라만 분광용으로 사용되는 제1항 내지 제10항의 제조방법에 의해 제조된 기판 및 제13항의 기판 중 어느 하나의 기판; 및 라만분광을 검출하는 검출기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 라만분광 장치
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6 KR1020160037372 KR 대한민국 FAMILY
7 KR1020160037852 KR 대한민국 FAMILY
8 US10527494 US 미국 FAMILY
9 US20180231418 US 미국 FAMILY
10 WO2016048053 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국기계연구원부설재료연구소 주요사업 인지니어링 감지소재 기술개발(분자감지용 초고감도 라만증강소재 기술개발)(1/5)