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ＣＺＴＳｅ계 박막 및 이의 제조 방법, 및 상기 ＣＺＴＳｅ계 박막을 이용한 태양전지(ＣＺＴＳｅ-BASED FILM AND PREPARING METHOD OF THE SAME, AND SOLAR CELL USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016008497
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CZTSe계 복합 박막, 상기 CZTSe계 복합 박막의 제조 방법, 상기 CZTSe계 복합 박막을 이용한 태양전지, 및 상기 CZTSe계 복합 박막을 이용한 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0392 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/046 (2014.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020150138264 (2015.09.30)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0037821 (2016.04.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140130511   |   2014.09.29
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.30)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조윌렴 대한민국 서울특별시 강남구
2 김지영 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0949544-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.08.24 수리 (Accepted) 9-1-2016-0037114-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0626794-29
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1022691-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1022960-90
7 면담 결과 기록서
 2016.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0151087-28
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1177763-92
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1177796-98
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0884678-15
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-1207799-73
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1207803-79
13 등록결정서
Decision to grant		 2017.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0105337-92
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번호 청구항
1 1
기재 상에 후면전극을 형성하고;상기 후면전극 상에 Cu2ZnSn(Se1-y,Sy)4 (0003c#y003c#1) 박막을 형성하고;상기 Cu2ZnSn(Se1-y,Sy)4 (0003c#y003c#1) 박막 상에 Cu2ZnSnSe4 박막을 형성하고;상기 Cu2ZnSnSe4 박막에 금속 M 성분-함유 층을 형성한 후 어닐링함으로써 Cu2Zn(Sn1-x,Mx)Se4 (여기서, x = 0
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 Cu2ZnSnSe4 박막은, Cu, Zn, Sn, 및 Se 성분을 포함하는 전구체를 이용하여 동시진공증발시킴으로써 형성되거나;Cu-함유 전구체, Zn-함유 전구체, 및 Sn-함유 전구체를 각각 적층하여 전구체 박막을 먼저 형성시킨 후 셀렌화함으로써 형성되는 것인, CZTSe계 복합 박막을 이용한 태양전지의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 Cu2ZnSnSe4 박막 및 상기 Cu2Zn(Sn1-x,Mx)Se4 박막을 형성한 후 셀렌화 공정을 추가 수행하는 것을 포함하는 것인, CZTSe계 복합 박막을 이용한 태양전지의 제조 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 전구체 박막은 Sn/Zn/Cu, Sn/Cu/Zn, Zn/Cu/Sn, Zn/Sn/Cu, Cu/Sn/Zn, 또는 Cu/Zn/Sn의 순서로 1 회 이상 적층된 것인, CZTSe계 복합 박막을 이용한 태양전지의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 금속 M 성분-함유 층은 상기 Cu2ZnSnSe4 박막의 표면에 진공증발법에 의해 상기 금속 M을 증착시키는 방법; 기상의 금속 M-함유 전구체를 분해확산시키는 방법; 및/또는 상기 Cu2ZnSnSe4 박막의 표면을 상기 금속 M 성분-함유 분위기에서 열처리하는 것에 의해 수행되는 것을 포함하는 것인, CZTSe계 복합 박막을 이용한 태양전지의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 Cu2ZnSnSe4 박막은 0
8 8
제 1 항에 있어서,상기 M 성분-함유 층은 상기 Cu2ZnSnSe4 박막의 표면에 10 nm 내지 1,500 nm의 두께로서 형성되는 것인, CZTSe계 복합 박막을 이용한 태양전지의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 Cu2ZnSnSe4 박막보다 상기 Cu2Zn(Sn1-x,Mx)Se4 박막의 밴드갭이 더 높은 것인, CZTSe계 복합 박막을 이용한 태양전지의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
기재;상기 기재 상에 형성된 후면전극; 및상기 후면전극 상에 형성된 Cu2ZnSn(Se1-y,Sy)4 (0003c#y003c#1) 박막, 상기 Cu2ZnSn(Se1-y,Sy)4 (0003c#y003c#1) 박막 상에 형성된 Cu2ZnSnSe4 박막 및 상기 Cu2ZnSnSe4 박막 상에 형성된 Cu2Zn(Sn1-x,Mx)Se4 (여기서, x = 0
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1 WO2016053016 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017092792 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9601642 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2016053016 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 지식경제기술혁신사업 저비용 고효율 태양전지용 Cu-Zn-Sn-S-Se 기반 다성분계 박막의 비진공 증착 공정 원천기술 개발