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상면의 일부 영역에 절연부(120)와 적어도 하나의 입출력 단자(130)를 형성한 패키지 기판부(110)상에 적어도 하나의 반도체 칩(140)이 설치되고, 내재된 금속 나노입자가 가열되어 상기 패키지 기판부(110)와 반도체 칩(140)을 접합하는 접합부(150)가 설치된 반도체 칩 패키지(100); 상기 반도체 칩 패키지(100)가 로딩되어 고정되도록 하고, 상기 패키지 기판부(110)의 열 손실과 그에 따른 패키지 기판부(110)의 온도 저하를 방지하는 단열 플레이트로 이루어진 플레이트(210); 및상기 플레이트(210)의 상부에 설치되고, 상기 반도체 칩 패키지(100)의 반도체 칩(140)이 가열되도록 빛을 조사하고, 상기 반도체 칩(140)의 열전도를 통해 가열된 상기 접합부(150)의 금속 나노입자가 소결(燒結) 및 융착(融着)을 통해 상기 패키지 기판부(110)와 반도체 칩(140)이 접합되도록 하는 광원 모듈(220)을 포함하는 반도체 칩 패키지 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 광원 모듈(220)은 800nm ~ 3um 사이의 파장을 갖는 빛을 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 광원 모듈(220)은 레이저, 또는 광원에서 발광된 빛이 광학계의 광축 위의 한점에 모이도록 초점을 형성하는 광학계를 구비한 임의의 광원 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 광원 모듈(220)은 반도체 칩(140)을 가열시켜 발생한 열에 의해 상기 접합부(150)의 금속 나노입자가 소결 및 융착되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지 제조 장치
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a) 패키지 기판부(110)의 열 손실과 그에 따른 패키지 기판부(110)의 온도 저하를 방지하는 단열 플레이트로 이루어진 플레이트(210)에 상기 패키지 기판부(110)의 상면 일부 영역에 절연부(120)와 적어도 하나의 입출력 단자(130)를 형성한 반도체 칩 패키지(100)를 로딩하는 단계;b) 상기 반도체 칩 패키지(100)의 패키지 기판부(110)상에 금속 나노입자를 내재한 접합 물질을 도포하는 단계;c) 상기 접합 물질이 도포된 패키지 기판부(110)상에 반도체 칩(140)을 실장하는 단계; 및d) 광원 모듈(220)이 상기 반도체 칩(140) 크기의 1%~100% 조사면적으로 빛을 조사하여 가열되도록 하고, 상기 반도체 칩(140)의 열전도를 통해 가열된 접합부(150)의 금속 나노입자가 소결(燒結) 및 융착(融着)을 통해 상기 패키지 기판부(110)와 반도체 칩(140)을 접합하는 단계를 포함하는 반도체 칩 패키지 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 d)단계의 광원 모듈(220)은 800nm ~ 3um 사이의 파장을 갖는 빛을 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지 제조 방법
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제 7 항 또는 제 9 항에 따른 반도체 칩 패키지 제조 방법으로 제조된 반도체 칩 패키지로서,상면의 일부 영역에 절연부(120)와 적어도 하나의 입출력 단자(130)를 형성한 패키지 기판부(110);상기 패키지 기판부(110) 상에 설치한 적어도 하나의 반도체 칩(140);상기 패키지 기판부(110)와 반도체 칩(140) 사이에 설치되고, 내재된 금속 나노입자가 가열되어 상기 금속 나노입자의 소결(燒結) 및 융착(融着)을 통해 상기 패키지 기판부(110)와 반도체 칩(140)을 접합하는 접합부(150); 및상기 입출력 단자(130)와 반도체 칩(140)을 연결하는 적어도 하나의 와이어(160)를 포함하는 반도체 칩 패키지
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제 10 항에 있어서,상기 패키지 기판부(110)는 표면에 니켈(Ni)과 금(Au)을 이용하여 도금한 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지
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제 10 항에 있어서,상기 반도체 칩(140)은 실리콘 트랜지스터, LDMOS(Lateral Double diffused MOS), GaAs MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor), GaAs HBT(Heterojunction Bipolar Transister), GaAs HEMT(High Electron Mobility Transistor), GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor) 및 SCHOTTKY 다이오드 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지
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제 10 항에 있어서,상기 접합부(150)의 금속 나노입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu)의 나노입자 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지
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