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CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지(Method of manufacturimg of CZTS-based thin film solar cell and CZTS-based thin film solar cell thereby)

  • 기술번호 : KST2016008555
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 상에 후면전극을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 후면전극 상에 에너지빔을 조사하여 후면전극을 재결정화하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 후면전극 상에 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4) 광흡수층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 CZTS 박막 태양전지의 제조방법에 따르면, 후면전극을 재결정화함으로써 후면전극과 CZTS 박막 사이에 발생할 수 있는 계면화합물을 억제할 수 있어, 후면 전극 장벽을 낮춰서 정공의 흐름을 향상시키고, 소자의 직렬 저항을 개선해서 충진률(Fill Factor)을 향상시켜 전체적인 소자의 효율이 향상되는 효과가 있다. 또한, 후면전극의 재결정화가 에너지빔을 통하여 저온에서 수행되므로, 소다석회유리와 같이 광흡수층의 특성을 향상시킬 수 있는 기판을 사용할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/046 (2014.01)
CPC H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01)
출원번호/일자 1020150110499 (2015.08.05)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0038719 (2016.04.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140130021   |   2014.09.29
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.05)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양기정 대한민국 대구광역시 수성구
2 심준형 대한민국 대구광역시 북구
3 손대호 대한민국 경기도 의정부시
4 강진규 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0759301-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2016-0018105-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0279077-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0592728-48
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0592795-97
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0546635-24
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
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번호 청구항
1 1
기판 상에 몰리브덴을 포함하는 후면전극을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 후면전극 상에 1 keV 내지 4 keV의 파워를 갖는 에너지빔을 60초 동안 조사하여 후면전극을 재결정화하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 후면전극 상에 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4) 광흡수층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 단계 1의 기판은 소다석회유리(soda lime glass), 붕규산(borosilicate) 및 석영으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 단계 2의 에너지빔은 전자빔, 이온빔 및 X-선으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 단계 2의 후면전극의 재결정화는 질소, 아르곤 및 이의 혼합기체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 단계 3의 광흡수층의 형성은,전구체층을 형성하는 단계(단계 a); 및상기 전구체층을 황화공정 또는 셀렌화공정을 통하여 광흡수층으로 형성하는 단계(단계 b);를 포함하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 대구경북과학기술원 일반사업 차세대 융복합기술 개발