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스핀 전달 토크 메모리(SPIN-TRANSFER TORQUE MAGNETIC RAM)

  • 기술번호 : KST2016008572
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스핀 전달 토크 메모리가 개시된다. 하나의 자유층과 두 개의 고정층을 가지는 세 단자 자기터널접합 소자; 상기 두 개의 고정층에 각각 연결되는 두 개의 정류 소자; 및 상기 세 단자 자기터널접합 소자의 자유층-제1 고정층 경로와 상기 세 단자 자기터널접합 소자의 자유층-제2 고정층 경로 사이의 저항값 차이를 검출하여 데이터를 독출하는 감지 증폭기를 구성한다. 따라서, 세 단자 자기터널접합 소자를 이용하기 때문에 데이터를 독출하는 과정에서 발생하였던 비대칭 문제를 해결할 수 있고, 보다 빠른 독출 및 기록 동작을 가능하게 할 수 있다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01)
CPC G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01)
출원번호/일자 1020140130808 (2014.09.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0038269 (2016.04.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재준 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이우석 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0932328-06
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0939788-92
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0069768-59
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0903903-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0188863-83
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0188817-93
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0538455-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나의 자유층과 두 개의 고정층을 가지는 세 단자 자기터널접합 소자;상기 두 개의 고정층에 각각 연결되는 두 개의 정류 소자; 및상기 세 단자 자기터널접합 소자의 자유층-제1 고정층 경로와 상기 세 단자 자기터널접합 소자의 자유층-제2 고정층 경로 사이의 저항값 차이를 검출하여 데이터를 독출하는 감지 증폭기를 포함하는 스핀 전달 토크 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 세 단자 자기터널접합 소자는,서로 반대 방향으로 자화된 두 개의 고정층;흐르는 전류에 따라 자화 방향이 변하는 하나의 자유층; 및상기 두 개의 고정층과 상기 자유층 사이에 놓이는 터널 장벽층을 포함하는 스핀 전달 토크 메모리
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제1항에 있어서,상기 자유층에 연결되는 워드 라인; 및상기 두 개의 정류 소자에 각각 연결되는 제1, 제2 비트 라인을 포함하고,상기 제1, 제2 비트 라인 중 하나의 비트 라인 및 상기 워드 라인에 기록 전압을 인가하고, 나머지 하나의 비트 라인에 상대적으로 낮은 전압을 인가하여 데이터를 기록하는 스핀 전달 토크 메모리
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제3항에 있어서,상기 두 개의 정류 소자는,각각 상기 두 개의 고정층 각각에서 상기 제1, 제2 비트 라인 각각으로 전류가 흐르도록 하는 스핀 전달 토크 메모리 셀
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제3항에 있어서,상기 스핀 전달 토크 메모리의 워드 라인을 제어하는 워드 라인 제어부; 및상기 스핀 전달 토크 메모리의 비트 라인을 제어하는 비트 라인 제어부를 포함하는 스핀 전달 토크 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 IT명품인재양성사업 포스텍 미래 IT 융합연구원