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지지기판;제2 전극층이 개재되어 상기 지지기판 상에 형성된 제1 도전성 반도체층;상기 제1 도전성 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성되고 상부에 전극층이 개재되어 있는 제2 도전성 반도체층; 및상기 제2 도전성 반도체층 상에 형성된 격자 구조의 광확산층;을 포함하고, 상기 제2 도전성 반도체층과 광확산층 사이에는 절연층이 개재되되, 상기 광확산층의 외곽부가 주기(periodic)구조의 격자 구조로 이루어지고, 중앙부가 비주기(non-periodic)구조의 격자 구조로 형성된 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 절연층은 상기 광확산층의 두께보다 더 두껍게 형성된 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 절연층은, 상기 제2 도전성 반도체층의 일 영역에 형성되며, 상기 제2 도전성 반도체층과 굴절률 차이를 갖는 광투과성 재질로 구성된 발광 소자
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제3항에 있어서,상기 절연층은, SiO2, SiOx, SiN, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 선택된 적어도 하나의 절연성 재질로 구성될 수 있고, 또는 실리콘 또는 에폭시 중 선택된 적어도 하나의 투광성 수지 계열로 형성된 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 광확산층은, Si, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, P, Al, In, Pd, Co, Si, Ge 중 선택된 하나의 금속 또는 비금속 재질로 구성된 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 광확산층은 격자들 사이에 공기 또는 절연물질로 충진된 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 광확산층은, 굴절률이 높은 TiO2, SrTiO2, GeO 중 선택된 하나의 재질로 형성된 발광 소자
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제1항 내지 제4항 및 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항의 발광 소자를 포함한 발광 소자 패키지
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