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집전체 및 상기 집전체 상에 위치하는 필름을 포함하며,상기 필름은 탄소재료, 금속 산화물 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 하나 및 유기 반도체 재료를 포함하는 전극
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제1항에서,상기 필름은 탄소재료 및 유기 반도체 재료를 포함하는 전극
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제1항에서,상기 탄소재료는 활성탄, 활성탄소섬유, 카본 블랙, 그래파이트, 그래핀, 산화 그래핀, 탄소 에어로겔, 탄소 제로겔, 메조포러스 탄소, 메조/매크로포러스 탄소, 탄소나노튜브, 기상성장 탄소섬유 또는 이들의 조합인 전극
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제1항에서,상기 금속 산화물은 구리, 니켈, 루테늄, 망간, 몰리브덴, 바나듐, 알루미늄, 탄탈럼, 금, 은, 이리듐, 철, 코발트, 크롬, 텅스텐, 티타늄, 팔라듐, 주석 또는 이들의 조합을 포함하는 금속의 산화물인 전극
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제1항에서,상기 전도성 고분자는 폴리아닐린계, 폴리티오펜계, 폴리피롤계, 폴리아세틸렌계, 폴리파라페닐렌계 또는 이들의 조합을 포함하는 전극
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제3항에서,상기 탄소재료는 탄소나노튜브인 전극
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제1항에서,상기 유기 반도체 재료는 유기 발광 재료인 전극
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제7항에서,상기 유기 발광 재료는 단분자 유기 발광 재료 또는 고분자 유기 발광 재료인 전극
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제8항에서,상기 단분자 유기 발광 재료는 안트라센 또는 파이렌을 포함하는 전극
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제8항에서,상기 고분자 유기 발광 재료는 안트라센계 고분자 폴리머를 포함하는 전극
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제10항에서,상기 안트라센계 고분자 폴리머는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 전극:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,l, n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다
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제10항에서,상기 안트라센계 고분자 폴리머는 80℃ 내지 120℃의 유리전이온도를 가지는 전극
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제10항에서,상기 안트라센계 고분자 폴리머는 250℃ 내지 300℃의 열분해온도를 가지는 전극
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제10항에서,상기 안트라센계 고분자 폴리머는 1,000 g/mol 내지 100,000 g/mol의 중량평균분자량을 가지는 전극
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제2항에서,상기 필름은 계면활성제를 더 포함하는 전극
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제15항에서,상기 탄소재료 및 계면활성제의 함량은 상기 유기 반도체 재료 함량의 5배 내지 15배인 전극
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제1항에서,상기 집전체는 스테인리스스틸인 전극
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탄소재료, 금속 산화물 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 하나, 유기 반도체 재료 및 용매를 혼합하여 혼합물을 준비하는 단계;상기 혼합물을 집전체 상에 코팅하는 단계; 및상기 집전체 상에 코팅된 혼합물을 건조하는 단계를 포함하는 전극의 제조 방법
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제18항에서,상기 혼합물을 준비하는 단계는,탄소재료, 유기 반도체 재료 및 용매를 혼합하여 혼합물을 준비하는 단계인 전극의 제조 방법
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제18항에서,상기 탄소재료는 활성탄, 활성탄소섬유, 카본 블랙, 그래파이트, 그래핀, 산화 그래핀, 탄소 에어로겔, 탄소 제로겔, 메조포러스 탄소, 메조/매크로포러스 탄소, 탄소나노튜브, 기상성장 탄소섬유 또는 이들의 조합인 전극의 제조 방법
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제18항에서,상기 금속 산화물은 구리, 니켈, 루테늄, 망간, 몰리브덴, 바나듐, 알루미늄, 탄탈럼, 금, 은, 이리듐, 철, 코발트, 크롬, 텅스텐, 티타늄, 팔라듐, 주석 또는 이들의 조합을 포함하는 금속의 산화물인 전극의 제조 방법
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제18항에서,상기 전도성 고분자는 폴리아닐린계, 폴리티오펜계, 폴리피롤계, 폴리아세틸렌계, 폴리파라페닐렌계 또는 이들의 조합을 포함하는 전극의 제조 방법
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제20항에서,상기 탄소재료는 탄소나노튜브인 전극의 제조 방법
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제18항에서,상기 유기 반도체 재료는 유기 발광 재료인 전극의 제조 방법
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제24항에서,상기 유기 발광 재료는 단분자 유기 발광 재료 또는 고분자 유기 발광 재료인 전극의 제조 방법
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제25항에서,상기 단분자 유기 발광 재료는 안트라센 또는 파이렌을 포함하는 전극의 제조 방법
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제25항에서,상기 고분자 유기 발광 재료는 안트라센계 고분자 폴리머를 포함하는 전극의 제조 방법
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제27항에서,상기 안트라센계 고분자 폴리머는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 전극의 제조 방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,l, n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다
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제27항에서,상기 안트라센계 고분자 폴리머는 80℃ 내지 120℃의 유리전이온도를 가지는 전극의 제조 방법
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제27항에서,상기 안트라센계 고분자 폴리머는 250℃ 내지 300℃의 열분해온도를 가지는 전극의 제조 방법
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제27항에서,상기 안트라센계 고분자 폴리머는 1,000 g/mol 내지 100,000 g/mol의 중량평균분자량을 가지는 전극의 제조 방법
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제19항에서,상기 혼합물은 계면활성제를 더 포함하는 전극의 제조 방법
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제32항에서,상기 탄소재료 및 계면활성제의 함량은 상기 유기 반도체 재료 함량의 5배 내지 15배인 제조 방법
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제18항에서,상기 집전체는 스테인리스스틸인 전극의 제조 방법
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제18항에서,상기 코팅은 블레이드 코팅인 전극의 제조 방법
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제18항에서,상기 건조하는 단계는 150℃ 내지 250℃에서 9시간 내지 15시간 동안 열처리하는 전극의 제조 방법
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제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 전극을 포함하는 슈퍼 커패시터
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제37항에서,상기 슈퍼 캐퍼시터는 전해액 및 세퍼레이터를 더 포함하는 슈퍼 커패시터
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제38항에서,상기 전해액은 염화 이온을 포함하는 슈퍼 커패시터
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