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계면 재결합 억제 박막 태양전지(thin film solar cell for reduction of surface recombination)

  • 기술번호 : KST2016008816
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로서, GaAs 계열의 물질을 사용하는 광흡수층과, 상기 광흡수층 상측에 형성되며, 알루미늄을 포함하는 화합물 반도체로 이루어진 제1윈도우층과, 상기 제1윈도우층과 상기 광흡수층 사이에 형성되며, 알루미늄을 포함하지 않는 화합물 반도체로 이루어진 제2윈도우층과, 상기 광흡수층 하측에 형성되는 BSF층 및 상기 BSF층 하측에 형성된 기판을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 윈도우층과 광흡수층 사이에 새로운 제2윈도우층을 도입하여 계면 재결합 속도 특성을 개선하여 전류 손실을 막아 태양전지의 효율을 향상시키는 이점이 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/046 (2014.01)
CPC H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01)
출원번호/일자 1020140133426 (2014.10.02)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1672404-0000 (2016.10.28)
공개번호/일자 10-2016-0040380 (2016.04.14) 문서열기
공고번호/일자 (20161104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.02)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전동환 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0946681-70
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0971791-70
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0031090-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0411951-81
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0813227-14
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0918024-37
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1022489-51
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1141643-00
11 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0180985-16
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1253127-01
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1253175-82
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0298323-99
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0613647-86
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0613634-93
17 등록결정서
Decision to grant
2016.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0777261-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막 태양전지에 있어서,GaAs 계열의 물질을 사용하는 광흡수층;상기 광흡수층 상측에 형성되며, 알루미늄을 포함하는 화합물 반도체로 이루어진 제1윈도우층;상기 제1윈도우층과 상기 광흡수층 사이에 형성되며, 알루미늄을 포함하지 않는 화합물 반도체로 이루어진 제2윈도우층; 및상기 광흡수층 하측에 형성되는 BSF층;을 포함하고,상기 제1윈도우층의 굴절률은 제2윈도우층의 굴절률보다 상대적으로 더 작으며,상기 BSF층은,기판 상측에 형성되며, 알루미늄을 포함하는 화합물 반도체로 이루어진 제1BSF층과,상기 제1BSF층과 상기 광흡수층 사이에 형성되며, 알루미늄을 포함하지 않는 화합물 반도체로 이루어진 제2BSF층으로 이루어지고,상기 BSF층 하측에는 반사판이 형성되는 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 광흡수층은,GaAs, InGaAs 및 AlInGaAs 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제1윈도우층은,AlInP, AlGaAs, AlAs, AlAsP 및 AlGaInP 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제2윈도우층은,GaInP로 이루어진 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제1윈도우층의 밴드갭은 제2윈도우층의 밴드갭보다 상대적으로 큰 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지
6 6
제 5항에 있어서, 상기 제2윈도우층의 밴드갭을 증가시키기 위해 부정형 성장법을 이용하는 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 1항에 있어서, 상기 제1BSF층은,AlInP, AlGaAs, AlAs, AlAsP 및 AlGaInP 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지
10 10
제 1항에 있어서, 상기 제2BSF층은,GaInP로 이루어진 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지
11 11
삭제
12 12
제 1항 내지 제 6항, 제 9항, 제 10항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 계면 재결합 억제 박막 태양전지는,다중 접합 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교과부 (재)한국나노기술원 나노팹선행공정지원사업 화합물반도체 기반의 나노융합소자 공정기술 개발