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제1 태양전지 셀 상에, 아크 플라즈마 증착(Arc-Plasma Deposition)을 이용하여 백금(Pt) 나노입자를 증착시켜 계면층을 형성하는 단계; 및상기 계면층 상에 제2 태양전지 셀을 배치하여, 상기 제1 태양전지 셀과 상기 제2 태양전지 셀을 일체화시키는 단계;를 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아크 플라즈마 증착은, 진공 중에서 고체 백금 타겟에 아크를 일으켜서 발생하는 플라즈마 펄스를 상기 제1 태양전지 셀 상에 가하는 단계를 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 아크 플라즈마 증착시 플라즈마 펄스의 수(n)는 1 내지 100 회, 방전전압(V)은 20 내지 300 V, 방전 축전용량(C)은 300 내지 1500 ㎌ 인 탠덤 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 계면층의 형성 단계는 실온에서 수행되는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 태양전지 셀에 사용된 광흡수층은 상기 제2 태양전지 셀의 광흡수층보다 밴드갭이 좁은 물질을 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 태양전지 셀은 광흡수층 물질로서 IB족, IIIA족 및 VIA족 원소를 포함하는 무기 화합물을 포함하는 무기 박막 태양전지 셀이고,상기 제2 태양전지 셀은 염료감응 태양전지 셀인 탠덤 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 태양전지 셀의 광흡수층을 용액공정을 이용하여 제조하는 단계를 더 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 태양전지 셀의 광흡수층의 제조 단계가,CuInxGa(1-x)SySe(2-y) (여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤2임) 나노입자, 또는 이를 제조하기 위한 전구체 혼합물 또는 산화물을 포함하는 페이스트 또는 잉크를 전도성 기판 상에 코팅하는 단계; 및 상기 페이스트 또는 잉크가 코팅된 전도성 기판을 열처리하여 무기 박막을 수득하는 단계;를 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 CuInxGa(1-x)SySe(2-y) (여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤2임) 나노입자를 제조하거나 또는 상기 페이스트 또는 잉크에 사용하기 위한 전구체 혼합물 또는 산화물이, i) Cu 전구체, In 전구체, Ga 전구체 또는 이들의 조합; ii) Cu 전구체, In 전구체, Ga 전구체, Se 전구체 또는 이들의 조합;iii) Cu 전구체, In 전구체, Ga 전구체, S 전구체 또는 이들의 조합; 또는iv) 이들의 산화물;을 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 코팅 단계는 닥터 블레이드 코팅법, 스크린 코팅법, 스핀 코팅법, 또는 스프레이 코팅법으로 수행되는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 무기 박막을 공기 또는 산소 분위기에서 열처리하여 잔존 탄소 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,황 또는 셀레늄 기체 분위기, 황 및 셀레늄의 혼합기체 분위기, 또는 연속적인 황화, 셀렌화 분위기에서 반응시키는 단계를 더 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법
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제1 태양전지 셀;제2 태양전지 셀; 및상기 제1 태양전지 셀 및 상기 제2 태양전지 셀 사이에 배치된 계면층으로서, 아크 플라즈마 증착(Arc-Plasma Deposition)을 이용하여 상기 제1 태양전지 셀 상에 증착된 백금(Pt) 나노입자를 포함하는 계면층;을 포함하는 탠덤 태양전지
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제13항에 있어서, 상기 계면층은 상기 백금 나노입자가 2차원적으로 연결된 층 구조를 갖는 탠덤 태양전지
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제13항에 있어서, 상기 백금 나노입자의 평균입경이 1nm 내지 20nm인 탠덤 태양전지
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제13항에 있어서,상기 계면층의 UV-vis 분광법으로 측정한 800nm 파장의 광 투과율이 적어도 50% 인 탠덤 태양전지
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제13항에 있어서,상기 제1 태양전지 셀은 광흡수층 물질로서 IB족, IIIA족 및 VIA족 원소를 포함하는 무기 화합물을 포함하는 무기 박막 태양전지 셀이고,상기 제2 태양전지 셀은 염료감응 태양전지 셀인 탠덤 태양전지
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제17항에 있어서,상기 제1 태양전지 셀은 (a) 제1 전도성 기판; (b) 상기 제1 전도성 기판 상에 배치되고, IB족, IIIA족 및 VIA족 원소를 포함하는 무기 화합물을 포함하는 제1 광흡수층; (c) 상기 제1 광흡수층 상에 배치된 버퍼층; 및 (d) 상기 버퍼층 상에 배치된 윈도우층;을 포함하고, 상기 계면층(20)은 상기 윈도우층 상에 배치되며,상기 제2 태양전지 셀은 (a') 제2 투명 전도성 기판, (b') 상기 제2 투명 전도성 기판 상에 배치되고, 반도체 미립자 및 염료를 포함하는 제2 광흡수층, 및 (c') 상기 계면층(20) 및 상기 제2 광흡수층이 서로 마주하도록 배치된 상태에서 그 사이에 배치된 전해질;을 포함하는 탠덤 태양전지
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제18항에 있어서,상기 IB족 원소는 구리(Cu)를 포함하고,상기 IIIA족 원소는 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 VIA족 원소는 셀레늄(Se) 및 황(S) 중 적어도 하나를 포함하는 탠덤 태양전지
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제18항에 있어서,상기 무기 화합물은 CuInxGa(1-x)SySe(2-y) (여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤2임)을 포함하는 탠덤 태양전지
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제18항에 있어서, 제1 태양전지 셀의 상기 윈도우층은 두께 조절이 가능한 탠덤 태양전지
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