요약 |
본 발명은 고전기전도성을 갖는 벌크 실리콘옥시카바이드 소재, 고전기전도성 벌크 실리콘옥시카바이드 소재 제조용 조성물 및 그 소재의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 8 ~ 25 S/cm 범위의 고전기전도를 갖는 치밀한 고전기전도성 벌크 실리콘옥시카바이드 소재; 필수 주원료로서 폴리실록산과 필수첨가제로서 산화바륨(BaO) 또는 가열에 의하여 산화바륨을 생성하는 전구체 중에서 선택되는 적어도 1종의 물질을 포함하여 구성되는 전기전도성 벌크 실리콘옥시카바이드 소재 제조용 조성물; a) 폴리실록산 및 산화바륨과 가열에 의하여 산화바륨을 생성하는 전구체 중에서 적어도 1종의 물질을 폴리실록산 가용성 용매에서 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; b) 상기 혼합물의 폴리실록산을 경화시키는 단계, c) 상기 폴리실록산이 경화된 혼합물을 열분해시키는 단계; d) 상기 열분해된 혼합물을 분쇄하는 단계; e) 상기 분쇄된 혼합물을 가압소결하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고전기전도성 실리콘옥시카바이드 소재의 제조방법을 제공한다. 본 발명으로 제조된 실리콘옥시카바이드 소재는 산화바륨과 가열에 의하여 산화바륨을 생성하는 전구체 중에서 적어도 1종의 물질과 폴리실록산을 동시에 첨가함으로써, (1) 산화바륨은 실리콘옥시카바이드의 이산화규소(SiO2) 성분과 반응하여 바륨실리케이트 (BaSiO3)로 석출되고, (2) 이산화규소 성분의 손실로 인해 생성된 실리콘옥시카바이드 내의 잔류 탄소(C)가 실리콘옥시카바이드 내에서 그래핀(graphene)으로 석출되어, 실리콘옥시카바이드의 체적비저항을 4×10-2 ~ 1.25×10-1 Ωcm 범위로 낮추어, 즉, 전기전도도가 8 ~ 25 S/cm 범위로 매우 우수하여, 고속 방전 가공이 용이하므로, 복잡 형상의 고온구조재료, 고온전극, 히터소재, 반도체 소자 제조용 공정 부품 (각종 링, 보트, 정전척, 더미 웨이퍼), 리튬 전지용 음극 재료, LED계 인광체, 열교환기용 소재, 모터 및 센서 등의 전기적인 구성 요소 등으로 광범위하게 응용이 가능하다.
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