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환원 분위기에서 형성된 LTO 코팅을 구비하는 Si계 음극재 제조 방법(Manufacturing Methods of Silicon Anode withLTO-Coating in Reduced Environment)

  • 기술번호 : KST2016008957
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 인위적인 표면보호층을 갖는 Li 이차전지용 음극재의 제조 방법이 개시된다. 본 발명은 Li 소스, Ti소스 및 Si 소스를 유기 용매에 혼합하는 단계; 상기 혼합 용액을 건조 및 분쇄하는 단계; 및 상기 혼합 용액을 600~650℃의 온도에서 열처리하여 상기 Li 소스 및 Ti 소스로부터 유래된 LTO를 합성하는 단계를 포함하는 LTO-Si계 음극재의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 음극과 전해액 계면에서의 부반응을 억제하기 위하여 인위적인 SEI층을 형성하여, 흡장/탈흡장 사이클링에서 장수명 및 높은 열안정성을 보장할 수 있는 리튬 이차전지의 제조가 가능하게 된다.
Int. CL H01M 10/052 (2010.01) C01D 15/02 (2006.01) C01G 23/04 (2006.01) H01M 4/485 (2010.01)
CPC H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01)
출원번호/일자 1020140136194 (2014.10.08)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0042357 (2016.04.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상민 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 박금재 대한민국 전라남도 장성군
3 박수진 대한민국 울산광역시 울주군
4 이주은 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 조재필 대한민국 울산광역시 울주군
6 하충완 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0962522-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
Li 소스, Ti소스 및 Si 소스를 유기 용매에 혼합하는 단계;상기 혼합 용액을 건조 및 분쇄하는 단계; 및상기 혼합 용액을 600~650℃의 온도에서 열처리하여 상기 Li 소스 및 Ti 소스로부터 유래된 LTO를 합성하는 단계를 포함하는 LTO-Si계 음극재의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 LTO는 Li4Ti5O12인 것을 특징으로 하는 LTO-Si계 음극재의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 열처리 단계는 불활성 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 LTO-Si계 음극재의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 불활성 분위기는 Ar분위기인 것을 특징으로 하는 LTO-Si계 음극재의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 열처리 단계는 환원 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 LTO-Si계 음극재의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 열처리 단계의 환원 분위기는 수소와 Ar의 혼합 가스 분위기인 것을 특징으로 하는 LTO-Si계 음극재의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 LTO-Si 음극재는 Si 분말의 표면에 LTO가 코팅된 것을 특징으로 하는 LTO-Si계 음극재의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 Si은 다공성나노 Si인 것을 특징으로 하는 LTO-Si계 음극재의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 울산과학기술대학교 산업기반기술개발사업 고용량/고출력 리튬이차전지용 Li-rich계 양극소재(≥240 mAh/g) 및 카본 Free 음극소재(≥1,000 mAh/g) 기술개발