| 1 |
1
기판 상에 촉매 마스크 패턴을 갖는 촉매층을 형성하는 단계;상기 형성된 촉매층 상에 그래핀 성장용 금속 박막을 형성하는 단계;상기 그래핀 성장용 금속 박막에 탄소 소스를 포함하는 반응 가스 및 열을 제공하는 단계;상기 반응 가스 및 열에 의해 상기 기판으로부터 제공되는 원자 종(atomic species)이 상기 촉매 마스크 패턴을 통하여 상기 그래핀 성장용 금속 박막으로 확산되어, 상기 촉매 마스크 패턴이 상기 그래핀 성장용 금속 박막 상에 자발적 패턴 마스크로 전사되는 단계; 및상기 전사된 자발적 패턴 마스크를 통하여 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 촉매층은 상기 원자 종이 상기 그래핀 성장용 금속 박막으로의 확산되는 것을 활성화하는 것을 특징으로 하는 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 촉매층은 FeCl3로 이루어진 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 마스크 물질은 상기 그래핀의 성장을 억제하여 상기 자발적 패턴 마스크를 통하여 상기 그래핀이 선택적으로 형성되도록 하는 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 기판은 커츠(quartz)로 이루어지고, 상기 원자 종은 Si 이며, 상기 마스크 물질은 SiO2으로 이루어진 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 그래핀 성장용 금속 박막은니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 황동(brass), 청동(bronze), 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 게르마늄(Ge)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 합금으로 이루어진 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,촉매층을 형성하는 상기 단계는,상기 촉매 마스크 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에 촉매 물질을 도포하여 상기 촉매 마스크 패턴을 포함하는 상기 촉매층을 형성하는 단계를 포함하는 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 그래핀 선택 성장 방법은 상기 그래핀 성장용 금속 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 10 |
10
기판 상에 마스크 패턴을 갖는 원자종 제공층을 형성하는 단계;상기 형성된 원자종 제공층 상에 촉매층을 형성하는 단계;상기 형성된 촉매층 상에 그래핀 성장용 금속 박막을 형성하는 단계;상기 그래핀 성장용 금속 박막에 탄소 소스를 포함하는 반응 가스 및 열을 제공하는 단계;상기 반응 가스 및 열에 의해 상기 원자종 제공층으로부터 제공되는 원자 종이 상기 마스크 패턴을 기반으로 상기 촉매층을 거쳐 상기 그래핀 성장용 금속 박막으로 확산되어, 상기 촉매 마스크 패턴이 상기 그래핀 성장용 금속 박막 상에 자발적 패턴 마스크로 전사되는 단계; 및상기 전사된 자발적 패턴 마스크를 통하여 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 촉매층은 상기 원자 종이 상기 그래핀 성장용 금속 박막으로 확산되는 것을 활성화하는 것을 특징으로 하는 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 마스크 물질은 상기 그래핀의 성장을 억제하여 상기 자발적 패턴 마스크를 통하여 상기 그래핀이 선택적으로 형성되도록 하는 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 14 |
14
제10항에 있어서,상기 원자종 제공층은 실리콘 산화물로 이루어지고, 상기 원자 종은 실리콘(Si) 이며, 상기 마스크 물질은 SiO2 로 이루어진 자발적 패턴 전사를 이용한 그래핀 선택 성장 방법
|
| 15 |
15
삭제
|
