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하기 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물을 포함하는 박막트랜지스터 유기절연체 필름 조성물:[화학식 1](상기 화학식 1에서,A1, A2, B1 및 B2는 독립적으로 O 또는 N이고;는 독립적으로 , , , , , , , , , , 또는 이고;n 및 m은 독립적으로 1-50의 정수이고;x는 0이고;는 단일결합 또는 이중결합이다)
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물은 하기 화학식 2, 화학식 3 및 화학식 4로 표시되는 고분자 화합물 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 유기절연체 필름 조성물:[화학식 2][화학식 3][화학식 4](상기 화학식 2, 화학식 3 및 화학식 4에 있어서,, n, m 및 x는 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같다)
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하기 반응식 1에 나타난 바와 같이,화학식 5로 표시되는 디히드록시 디아민 단량체와, 화학식 6으로 표시되는 피리딘 디애시드클로라이드를 중합 반응시켜 화학식 7로 표시되는 폴리히드록시아미드(PHA) 고분자 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 화학식 7로 표시되는 폴리히드록시아미드 고분자 화합물을 반응시켜 화학식 2로 표시되는 고분자 화합물을 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 제2항의 화학식 2로 표시되는 화합물의 제조방법:[반응식 1](상기 반응식 1에서, 및 n은 독립적으로 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같다)
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하기 반응식 2에 나타난 바와 같이,화학식 11로 표시되는 디히드록시 디아민 단량체와, 화학식 6으로 표시되는 피리딘 디애시드클로라이드를 중합 반응시켜 화학식 12로 표시되는 폴리히드록시아미드(PHA) 고분자 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 화학식 12로 표시되는 폴리히드록시아미드 고분자 화합물을 반응시켜 화학식 3으로 표시되는 고분자 화합물을 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 제2항의 화학식 3으로 표시되는 화합물의 제조방법:[반응식 2](상기 반응식 2에서, 및 n은 독립적으로 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같다)
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하기 반응식 3에 나타난 바와 같이,화학식 5로 표시되는 디히드록시 디아민 단량체와, 화학식 6으로 표시되는 피리딘 디애시드클로라이드를 중합 반응시켜 화학식 7로 표시되는 폴리히드록시아미드(PHA) 고분자 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 화학식 7 의 폴리히드록시아미드 고분자 화합물을 반응시켜 화학식 4로 표시되는 고분자 화합물을 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 제2항의 화학식 4로 표시되는 화합물의 제조방법:[반응식 3](상기 반응식 3에서, 및 n은 독립적으로 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같다)
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6
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물은 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 아세톤 및 에틸아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 용매에 대하여 용해특성이 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 유기절연체 필름 조성물
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삭제
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유리 또는 플라스틱 기판, 게이트 전극, 유기절연막, 유기반도체 층 또는 금속산화물 반도체 층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 유기절연막은 제1항의 유기절연체 필름 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제8항에 있어서,상기 유기절연체 필름 조성물은 스핀코팅법, 잉크젯 프린팅법 및 딥핑법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방법으로 유기절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제8항에 있어서,상기 유기반도체 층은 펜타센, 금속 프탈로시아닌, 금속 포르피린, 폴리티오펜, 페닐렌비닐렌, 풀러렌, 페닐렌테트라카르복실산 2 무수물(phenylenetetracarboxylic dianydride), 나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물(naphthalenetetracarboxylic dianydride), 플루오르화 프탈로시아닌(fluorophthalocyanine) 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고;상기 금속산화물 반도체 층은 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물, 구리 산화물, 카드뮴 산화물, 마그네슘 산화물 및 망간 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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