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반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법(SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR GROWTH AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016009147
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 반도체 성장용 기판은 표면에 레이저를 조사하여 형성된 결정 구조 변형 영역을 포함한다. 상기 반도체 성장용 기판은 반도체 박막의 구조, 광 및 전기적 특성을 개선하여 이를 이용한 반도체 소자의 특성을 개선하며, 기판의 휨 현상을 개선하여 대면적의 반도체 기판을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01)
출원번호/일자 1020140139880 (2014.10.16)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1679373-0000 (2016.11.18)
공개번호/일자 10-2016-0044863 (2016.04.26) 문서열기
공고번호/일자 (20161124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160152627;
심사청구여부/일자 Y (2014.10.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이관재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 김진수 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0986877-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0040145-13
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0946369-74
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0086524-08
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0312538-81
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0312506-20
9 등록결정서
Decision to grant
2016.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0625359-14
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-1118604-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 성장용 기판; 상기 기판의 일면에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층을 포함하는 반도체 성장용 기판 전체면에 성장되는 반도체 박막을 포함하고,상기 버퍼층은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 또는 SiN을 포함하고,상기 버퍼층 표면에 레이저를 조사하여 형성된 결정 구조 변형 영역을 포함하고,상기 결정 구조 변형 영역의 형상은 복수개의 선 형상이며,상기 복수개의 선 형상 사이의 평균 간격은 10㎛ 내지 1cm, 선폭은 1 내지 100㎛인 것인반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 결정 구조 변형 영역은 결정 구조가 단결정 구조에서 비정질 구조로 변형된 것인 반도체 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 반도체 성장용 기판은 패턴된 것인 반도체 소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 사파이어 기판 및 실리콘 카바이드 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 반도체 소자
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서,상기 레이저는 다이오드 레이저, DPSS(DIODE PUMPED SOLID STATE) 레이저, KrF 엑시머(KRYPTON FLUORIDE EXCIMER) 레이저, ArF 엑시머(ARGON FLUORIDE EXCIMER) 레이저, 나노초 레이저, 펨토초 레이저 및 아토초 레이저로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101783258 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 전북대학교 기초연구실육성사업 UV2IR 나노 광전소자 연구실
2 교육부 전북대학교 일반연구자지원사업 (한국형 SGER) 신개념“Dot-in-Dot” III-Nitride 복합 양자점 제작
3 중소기업청 전북대학교 산학협력단 산학연협력 기술개발사업 (일반도약) 신개념 Thermal Viahole 제작 공정 및 이를 이용한 고방열 LED 패키지 기술 개발