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발광 소자 및 그 제조 방법(Light emitting device and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2016009246
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 소자가 제공된다. 상기 발광 소자는, 기판 상의 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상의 활성층, 상기 활성층 상의 제2 도전형의 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층의 콘택 영역(contact region) 내에 확산된 침투 금속, 및 상기 콘택 영역 상의 제1 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/40(2013.01)H01L 33/40(2013.01)H01L 33/40(2013.01)H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020140139963 (2014.10.16)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1617959-0000 (2016.04.27)
공개번호/일자 10-2016-0045207 (2016.04.27) 문서열기
공고번호/일자 (20160504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진섭 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 신동수 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0987311-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0044014-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0584399-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1041070-25
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-1041078-90
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0153127-35
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0287828-39
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.03.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0287838-96
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0284305-05
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의 제1 도전형의 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상의 활성층;상기 활성층 상의 제2 도전형의 제2 반도체층;상기 제1 반도체층의 콘택 영역(contact region) 내에 확산된 침투 금속; 및상기 콘택 영역 내에 확산된 침투 금속과 직접 접촉(directly contact)하여 상기 제1 반도체층과 오믹 접합(ohmic contact)하는 제1 전극을 포함하되,상기 침투 금속은, 상기 콘택 영역의 함(defect)를 따라서 확산된 것인 발광 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 반도체층은 a-plane GaN을 포함하며 상기 제1 전극은 니켈(Ni)로 이루어진 하부 금속 패턴과 상기 하부 금속 패턴 상에 형성된 금(Au)으로 이루어진 상부 금속 패턴을 포함하는 발광 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제2 반도체층 상의 제2 전극을 포함하되, 상기 제2 전극은, 상기 제1 전극과 동일한 물질로 형성되고, 상기 제2 반도체층과 쇼트키 접합(schottky contact)되는 것을 포함하는 발광 소자
6 6
제1 항에 있어서, 상기 침투 금속은 인듐(In)을 포함하는 발광 소자
7 7
기판 상에 제1 도전형의 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형의 제2 반도체층을 차례로 형성하는 단계;상기 제2 반도체층 및 상기 활성층을 식각하여, 상기 제1 반도체층의 콘택영역을 노출시키는 단계;상기 제1 반도체층의 상기 콘택 영역 상에 침투 금속층을 형성하는 단계;상기 침투 금속층의 침투 금속을 상기 제1 반도체층의 상기 콘택 영역 내로 확산시키는 단계; 및상기 콘택 영역 내에 확산된 침투 금속과 직접 접촉하여 상기 제1 반도체층과 오믹 접합하는 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하되상기 제1 전극을 형성하기 전에, 상기 콘택 영역 상에 잔존된 상기 침투 금속층을 제거하여 상기 잔존된 상기 침투 금속층의 변형을 방지하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제7 항에 있어서, 상기 침투 금속을 상기 콘택 영역 내로 확산시키는 단계는, 상기 침투 금속층에 열처리 공정을 수행하는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
10 10
제7 항에 있어서,상기 제2 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 제2 전극은, 상기 제1 전극을 형성하는 단계와 동일한 공정에서 제공되는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.