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에이징을 감시하는 반도체 집적회로 및 그 방법(SEMICONDUCTOR IC MONITORING AGING AND METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2016009334
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 집적회로의 에이징을 감시하는 기술에 관한 것이다.본 발명은 코어; 및 정상 동작 중인 상기 코어로 인가되는 클락의 듀티 사이클을 조정하여 상기 코어로부터 에이징 감시 데이터를 획득하고, 획득한 상기 에이징 감시 데이터를 토대로 상기 코어의 에이징 여부를 판단하는 에이징 감시 회로를 포함하여 SoC 등의 반도체 집적회로에 대해 반도체 집적회로의 정상 동작 중 반도체 집적회로의 에이징을 실시간으로 감시할 수 있다.
Int. CL G01R 31/28 (2006.01)
CPC G01R 31/28(2013.01) G01R 31/28(2013.01) G01R 31/28(2013.01) G01R 31/28(2013.01)
출원번호/일자 1020140143103 (2014.10.22)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1679375-0000 (2016.11.18)
공개번호/일자 10-2016-0047126 (2016.05.02) 문서열기
공고번호/일자 (20161125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이현빈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1007813-10
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0193767-39
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-1187569-40
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0076492-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0671374-77
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1044426-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-1044425-55
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0184856-16
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0338807-66
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0338819-14
12 등록결정서
Decision to grant
2016.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0616860-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
코어; 및정상 동작 중인 상기 코어로 인가되는 클락의 듀티 사이클을 조정하여 상기 코어로부터 에이징 감시 데이터를 획득하고, 획득한 상기 에이징 감시 데이터를 토대로 상기 코어의 에이징 여부를 판단하는 에이징 감시 회로를 포함하며, 상기 코어는,연속하는 복수의 스캔 셀을 포함하며, 듀티 사이클이 조정된 상기 클락의 상승 엣지에서 제1 데이터를 획득하는 제1 스캔 체인; 및연속하는 복수의 스캔 셀을 포함하며, 듀티 사이클이 조정된 상기 클락의 하강 엣지에서 제2 데이터를 획득하는 제2 스캔 체인을 포함하며, 상기 제1 스캔 체인은 하나의 MUX와 제1 플립플랍을 포함하고, 제2 스캔 체인은 2개의 MUX와 제2 플립플랍을 포함하는 반도체 집적회로
2 2
제1항에 있어서,상기 에이징 감시 회로는,상기 코어로부터 입력된 상기 에이징 감시 데이터에 따라 알람을 생성하여 출력하는 에이징 감시 제어부를 포함하는 반도체 집적회로
3 3
제1항에 있어서,상기 에이징 감시 회로는,상기 클락의 하강 엣지가 상기 코어에 설정된 상기 클락의 주파수 가드 밴드 내에 있도록 상기 클락을 생성하여 상기 코어로 인가하는 클락 생성기를 포함하는 반도체 집적회로
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 데이터는 상기 제2 데이터가 획득되는 상기 클락의 하강 엣지 이후의 상승 엣지에서 획득되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로
6 6
삭제
7 7
연속하는 복수의 스캔 셀을 포함하며, 듀티 사이클이 조정된 클락의 상승 엣지에서 제1 데이터를 획득하는 제1 스캔 체인이 정상 동작 중인 코어로 인가되는 클락의 상승 엣지에서 제1 데이터를 획득하는 단계;연속하는 복수의 스캔 셀을 포함하며, 듀티 사이클이 조정된 상기 클락의 하강 엣지에서 제2 데이터를 획득하는 제2 스캔 체인이 상기 클락의 하강 엣지에서 제2 데이터를 획득하는 단계; 및상기 제1 데이터 및 제2 데이터를 비교하여 상기 코어의 에이징을 판단하는 단계를 포함하며, 상기 제1 스캔 체인은 하나의 MUX와 제1 플립플랍을 포함하고, 제2 스캔 체인은 2개의 MUX와 제2 플립플랍을 포함하는 반도체 집적회로의 에이징 감시 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 제2 데이터를 획득한 상기 하강 엣지 이후의 상승 엣지에서 상기 제1 데이터를 획득하며,상기 상승 엣지를 갖는 펄스의 하강 엣지에서 상기 제1 데이터 및 제2 데이터의 비교 결과를 획득하는 반도체 집적회로의 에이징 감시 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.